野田 啓 ( ノダ ケイ )

Noda, Kei

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所属(所属キャンパス)

理工学部 電気情報工学科 ( 矢上 )

職名

教授

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外部リンク

学歴 【 表示 / 非表示

  • 1998年03月

    京都大学, 工学部, 電子工学科

    大学, 卒業

  • 2000年03月

    京都大学, 工学研究科, 電子物性工学専攻

    大学院, 修了, 修士

  • 2002年11月

    京都大学, 工学研究科, 電子物性工学専攻

    大学院, 修了, 博士

学位 【 表示 / 非表示

  • 博士(工学), 京都大学, 課程, 2002年11月

 

研究分野 【 表示 / 非表示

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学 (Electron/Electric Material Engineering)

  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

  • ナノテク・材料 / 応用物性

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Enhanced photocatalytic hydrogen evolution over α-Fe2O3 nanotube arrays decorated with g-C3N4 nanoparticles via physical vapor deposition

    Uo Umezawa, Sho Yoneyama, Kosei Ito, Kei Noda

    Diamond and Related Materials    114157 2026年09月

    研究論文(学術雑誌), 共著, 最終著者, 責任著者, 査読有り

  • Band alignment estimation of MoS2/g-C3N4 thin-film S-scheme heterojunction based on surface potential measurements

    Suzuki Y., Ito K., Noda K.

    RSC Applied Interfaces (Royal Society of Chemistry)  2026年06月

    研究論文(学術雑誌), 共著, 最終著者, 責任著者, 査読有り

     概要を見る

    Energy band alignment of a thin-film heterojunction of molybdenum disulfide (MoS<inf>2</inf>) and polymeric carbon nitride (g-C<inf>3</inf>N<inf>4</inf>) has been investigated, and can be regarded as a model system of heterojunction photocatalysts. A bilayer of MoS<inf>2</inf> and g-C<inf>3</inf>N<inf>4</inf> (MoS<inf>2</inf>/g-C<inf>3</inf>N<inf>4</inf>) with an exposed platinum (Pt) bottom electrode was fabricated by thermal chemical vapor deposition and sulfur hexafluoride-based dry etching, followed by deposition of MoS<inf>2</inf> nanosheets on top of that via tape exfoliation and elastomer-assisted transfer techniques. Simultaneous imaging of topography and surface potential over MoS<inf>2</inf>/g-C<inf>3</inf>N<inf>4</inf> on Pt was performed by using Kelvin probe force microscopy (KPFM) in the dark. The energy band alignment of MoS<inf>2</inf>/g-C<inf>3</inf>N<inf>4</inf> on Pt was estimated based on the KPFM imaging results and other physical properties of individual MoS<inf>2</inf> and g-C<inf>3</inf>N<inf>4</inf> samples examined with ultraviolet photoelectron spectroscopy and ultraviolet-visible absorption spectroscopy. In addition, the photo-induced change in the surface potential over MoS<inf>2</inf>/g-C<inf>3</inf>N<inf>4</inf> on Pt was measured to consider the behavior of photo-induced carriers therein. The depicted energy band alignment having band bending in the MoS<inf>2</inf> layer suggests the possibility of S-scheme heterojunction formation at the MoS<inf>2</inf>/g-C<inf>3</inf>N<inf>4</inf> interface.

  • Efficient photocatalytic properties using the S-scheme charge transfer of WO3/C3N5 without precious metals

    Kosei Ito, Shuta Fujioka, Shusuke Yoneyama, Matthis Richard Vosberg, Paul Fons, Kei Noda

    Applied Surface Science 732   166558 2026年03月

    研究論文(学術雑誌), 最終著者, 査読有り,  ISSN  01694332

     概要を見る

    Composite photocatalysts have many advantages, such as visible light response, charge separation efficiency, and the lack of precious metal use, and are attracting attention as high-performance photocatalytic materials that can solve many of the problems associated with single photocatalysts. On the other hand, there remain many unknowns regarding charge transfer, the understanding of which is key to improving the performance of composite photocatalysts. In particular, elucidating the details of the charge transfer process at the photocatalyst interface is an urgent and important issue that must be understood to improve the performance of future composite photocatalysts. In this study, we have focused on composite formation of tungsten trioxide (WO<inf>3</inf>) and nitrogen-rich carbon nitride (C<inf>3</inf>N<inf>5</inf>), and have investigated the band bending occurring at the interface during complexation and the charge transfer before and after light irradiation over the composite photocatalysts using various experimental techniques and simulations. The results support the presence of the ideal S-scheme mechanism and the overall photocatalytic performance of WO<inf>3</inf>/C<inf>3</inf>N<inf>5</inf> was superior to that of the other individual photocatalysts. In addition, C<inf>3</inf>N<inf>5</inf> particle size was found to decrease during annealing treatment when complexed with WO<inf>3</inf>, which is surmised to be due to the loss of bridging nitrogen.

  • Visible-Light-Driven Photocatalytic Polyethylene Degradation Using WO3 Nanoflowers Without Hot-Press Processing

    Ibuki Koizumi, Kosei Ito, Kei Noda

    Chemphotochem 10 ( 3 ) e202500355 2026年03月

    研究論文(学術雑誌), 共著, 最終著者, 査読有り

     概要を見る

    Plastic waste poses significant environmental and health challenges. Photocatalytic degradation using sunlight offers a promising solution; however, many previous studies have relied on impractical conditions, such as employing ultraviolet light irradiation and hot-pressed mixture of plastics and photocatalysts. In this study, we explored a simple and practical method for plastic degradation under visible light. A visible-light-responsive tungsten trioxide (WO<inf>3</inf>) powder with a nanoflower structure was simply mixed with polyethylene (PE) powder without hot pressing and then irradiated with visible light. Effective degradation of PE was observed, and the reaction proceeded stably under prolonged irradiation. In contrast, a hot-pressed WO<inf>3</inf>–PE sample exhibited reduced degradation efficiency, likely due to the collapse of the nanoflower structure, which diminished light absorption and surface activity. These findings demonstrate that a simple powder mixture can enable efficient plastic degradation under visible light, presenting a practical strategy for photocatalytic plastic waste treatment and contributing to sustainable environmental solutions.

  • p+-i-p+ Type poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) thin-film transistors prepared by transfer printing with elastomer stamps

    Takayama K., Igata K., Nakajima Y., Ito T., Noda K.

    Journal of Materials Science Materials in Electronics (Springer Science+Business Media, LLC)  36 ( 21 ) 1353 2025年07月

    研究論文(学術雑誌), 共著, 最終著者, 責任著者, 査読有り,  ISSN  09574522

     概要を見る

    In organic thin-film transistors (OTFTs), carrier doping is a versatile technique to control and improve their device characteristics. In this study, bottom-gate, bottom-contact (BGBC) p-channel transistors comprised by contact electrodes of highly p-doped layer (p<sup>+</sup>) and a non-doped, intrinsic semiconductor layer (i), so-called p<sup>+</sup>-i-p<sup>+</sup> type transistors, were newly fabricated by using the transfer printing of poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT) films. A uniform P3HT thin layer was formed onto a poly(dimethylsiloxane) (PDMS) elastomer by the push coating method, followed by the peel-off and transfer process of P3HT micropatterns via elastomer stamping with the aid of prepatterned master substrates. Source-drain p<sup>+</sup> layers were prepared by liquid-phase doping of the P3HT micropatterns with 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (F4TCNQ) as an acceptor dopant. Then, undoped i stripes were deposited onto the p<sup>+</sup> contact electrode patterns by the transfer printing, which enabled us to construct p<sup>+</sup>-i-p<sup>+</sup> type polymer transistors with hydrophobic CYTOP-coated SiO<inf>2</inf> gate insulators. The prepared devices presented p-channel, normally-off operation with no gate-sweep hysteresis, suggesting that the appropriate combination of printing and molecular doping techniques can pave the way toward the device design of all-organic transistors.

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KOARA(リポジトリ)収録論文等 【 表示 / 非表示

総説・解説等 【 表示 / 非表示

  • 陽極酸化による酸化鉄ナノ チューブアレイの形成と気相反応場での光触媒機能

    野田 啓,柵木 光

    電気化学 (電気化学会)  89 ( 4 ) 340 - 345 2021年12月

    記事・総説・解説・論説等(学術雑誌), 共著

  • 有機電界効果トランジスタにおける電気特性評価技術の現状について

    野田 啓

    応用物理学会 有機分子・バイオエレクトロニクス分科会誌 28 ( 4 ) 242 - 245 2017年11月

    記事・総説・解説・論説等(学術雑誌), 単著

  • 有機半導体実験のコツ

    野田 啓

    応用物理 86 ( 1 ) 51 - 54 2017年01月

    記事・総説・解説・論説等(学術雑誌), 単著

  • 総論:「有機エレクトロニクス」の背景と「分子制御技術」の重要性

    野田 啓

    電気学会誌 136 ( 2 ) 72 - 73 2016年02月

    記事・総説・解説・論説等(学術雑誌), 単著

  • 電荷ドーピングによる有機トランジスタの素子設計

    野田 啓

    電気学会誌 136 ( 2 ) 78 - 81 2016年02月

    記事・総説・解説・論説等(学術雑誌), 単著

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研究発表 【 表示 / 非表示

  • C3N5光アノードにおける酸化チタンバッファ層の効果

    吉井 悠真,梅澤 優生,伊藤 皇聖,野田 啓

    [国内会議]  第87回応用物理学会秋季学術講演会 (北海道大学 札幌キャンパス) , 

    2026年09月

    ポスター発表

  • g-C3N4/P3HT薄膜ヘテロ接合フォトダイオードにおけるg-C3N4薄膜化の効果

    柳澤 宙輝, 伊藤 大記, 野田 啓

    [国内会議]  第87回応用物理学会秋季学術講演会 (北海道大学 札幌キャンパス) , 

    2026年09月

    ポスター発表

  • 異なる透明導電基板上に製膜したC3N5光電極の性能評価

    梅澤 優生,伊藤 皇聖,吉井 悠真,野田 啓

    [国内会議]  第87回応用物理学会秋季学術講演会 (北海道大学 札幌キャンパス) , 

    2026年09月

    口頭発表(一般)

  • Photocatalytic energy conversion with nanostructured semiconductors

    Kei Noda

    [国際会議]  4th International Congress on Catalysis Science and Chemical Engineering (CatScience 2026) (Palazzo Corrado Alvaro, Reggio Calabria) , 

    2026年06月
    -
    2026年07月

    口頭発表(招待・特別)

  • Resistive switching memory characteristics of polymeric carbon nitride thin films deposited by thermal chemical vapor deposition

    Keigo Sugiyama, Hiroki Yanagisawa, Kei Noda

    [国際会議]  The 12th International Conference on Molecular Electronics and Bioelectronics (M&BE12), 

    2026年06月

    ポスター発表

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競争的研究費の研究課題 【 表示 / 非表示

  • 前駆体の精密設計に基づく高分子状窒化炭素構造体の薄膜形成と光電気化学応用

    2025年04月
    -
    2028年03月

    野田 啓, 基盤研究(B), 補助金,  研究代表者

  • 電熱特性を考慮した有機半導体デバイス設計と高電流スイッチングへの応用

    2022年06月
    -
    2025年03月

    文部科学省・日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 野田 啓, 挑戦的研究(萌芽), 補助金,  研究代表者

  • 前駆体の精密設計に基づく二次元窒化炭素構造体の薄膜形成と光応答型膜反応器への応用

    2019年04月
    -
    2023年03月

    科学研究費補助金(文部科学省・日本学術振興会), 補助金,  研究代表者

  • 半導体ナノ構造表面における気相光触媒反応場の追跡と人工光合成への応用

    2017年06月
    -
    2020年03月

    科学研究費補助金(文部科学省・日本学術振興会), 補助金,  研究代表者

  • 有機半導体薄膜に関する国際標準化

    2014年04月
    -
    2017年02月

    受託研究,  研究分担者

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知的財産権等 【 表示 / 非表示

  • 有機薄膜トランジスタ

    出願日: 2013-112504  2013年05月 

    特許権, 共同

  • 水素生成・分離一体型機能性薄膜及びその製造方法

    出願日: 2011-013778  2011年01月 

    特許権, 共同

受賞 【 表示 / 非表示

  • IEC 1906賞

    2017年10月, 国際電気標準会議

    受賞区分: 国内外の国際的学術賞

  • 2007年度(第7回)船井情報科学奨励賞(エレクトロニクス部門)

    野田 啓, 2008年04月, 船井情報科学振興財団

    受賞区分: 出版社・新聞社・財団等の賞

  • Research fellowship from Alexander von Humboldt Foundation

    2004年04月, Alexander von Humboldt Foundation

    受賞区分: 出版社・新聞社・財団等の賞

  • 1st International Conference on Molecular Electronics and Bioelectronics (M&BE1), Young Scientist Award

    野田 啓, 2001年03月, 1st International Conference on Molecular Electronics and Bioelectronics (M&BE1)

    受賞区分: 国内学会・会議・シンポジウム等の賞

  • 第47回応用物理学関係連合講演会(応用物理学会) 講演奨励賞

    野田 啓, 2000年03月, 応用物理学会

    受賞区分: 国内学会・会議・シンポジウム等の賞

その他 【 表示 / 非表示

  • 2017年06月

     内容を見る

    IEC/TS 62607-5-3 Ed 1.0 Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 5-3: Thin-film organic/nano electronic devices - Measurements of charge carrier concentration, Project Leader

  • 2016年02月

     内容を見る

    電気学会誌 2016年2月号 特集「次世代を担う機能性有機材料~分子制御とそのエレクトロニクス応用~」 ゲストエディタ

  • 2014年09月

     内容を見る

    IEC/TS 62607-5-1 Ed 1.0 Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 5-1: Thin-film organic/nano electronic devices - Carrier transport measurements

 

担当授業科目 【 表示 / 非表示

  • 電気情報工学実践研究活動B

    2026年度

  • 電気電子総合演習

    2026年度

  • 電気電子材料

    2026年度

  • 物理学C

    2026年度

  • エレクトロニクス基礎

    2026年度

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担当経験のある授業科目 【 表示 / 非表示

  • 自然科学実験

    慶應義塾

    2018年04月
    -
    2019年03月

    春学期, 実習・実験

  • 電気電子材料

    慶應義塾

    2018年04月
    -
    2019年03月

    秋学期, 講義

  • 電気電子工学実験第2

    慶應義塾

    2018年04月
    -
    2019年03月

    秋学期, 実習・実験

  • 有機電子材料・デバイス

    慶應義塾

    2018年04月
    -
    2019年03月

    秋学期, 講義

  • 物理学C, D

    慶應義塾

    2018年04月
    -
    2019年03月

    秋学期

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教育活動及び特記事項 【 表示 / 非表示

  • 京都大学 大学院 工学研究科 非常勤講師

    2025年06月
    -
    2025年09月

    , その他特記事項

  • 京都大学 大学院 工学研究科 非常勤講師

    2023年04月
    -
    2023年09月

    , その他特記事項

  • 三重大学 大学院 工学研究科 非常勤講師

    2022年04月
    -
    2022年09月

    , その他特記事項

  • 京都大学 大学院 工学研究科 非常勤講師

    2021年04月
    -
    2021年09月

    , その他特記事項

  • 京都大学 大学院 工学研究科 非常勤講師

    2019年04月
    -
    2019年09月

    , その他特記事項

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所属学協会 【 表示 / 非表示

  • 応用物理学会

     
  • 電気化学会

     
  • Materials Research Society

     

委員歴 【 表示 / 非表示

  • 2020年04月
    -
    2022年03月

    委員, 応用物理学会 論文賞委員会

  • 2018年08月
    -
    継続中

    Editorial Board Member, Journal of Analytical Science and Technology

  • 2018年04月
    -
    継続中

    委員, ISO/TC229 ナノテクノロジー標準化国内審議委員会

  • 2018年03月
    -
    継続中

    委員, 電子情報技術産業協会 ナノエレクトロニクス標準化専門委員会 ナノカーボン標準化グループ

  • 2018年02月
    -
    2022年01月

    代議員, 応用物理学会

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