論文 - 伊藤　公平

シリコン結晶中の核スピン量子コヒーレンス

佐々木　進，伊藤公平

固体物理 38 （ 11 ） 801-815 2003年

研究論文（学術雑誌）, 共著

A Raman Scattering Study of Self-Assembled Pure Isotope Ge/Si(100) Quantum Dots

A. V. Kolobov, K. Morita, K. M. Itoh, and E. E. Haller

Appl. Phys. Lett. 81 （ 20 ） 3855-3857 2002年11月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

An All Silicon Quantum Computer

T.D. Ladd, J. R. Goldman, F. Yamaguchi, Y. Yamamoto, E.Abe, and K. M. Itoh

Phys. Rev. Lett. 89 （ 1 ） 017901-1 2002年07月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

Optical and Electrical Characterization of Free Standing 3C-SiC Films Grown on Undulant 6-inch Si Substrates

T. Yamada and K. M. Itoh

Materials Science Forum 389-393   675-678 2002年06月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

Observation of the Random-Correlated Transition of Ionized Impurity Distribution in Compensate Semiconductors

J. Kato, K. M. Itoh, and E. E. Haller

Phys. Rev. B 65   241201(R)1-4 2002年05月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

Raman Spectra of 70Ge/76Ge Argon 488nm and 514.5nm Excitations

K. Morita, K. M. Itoh, M. Nakajima, H. Harima, K. Mizoguchi, Y. Shiraki, and E. E. Haller

Physica B 316-317   561-564 2002年05月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

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同位体超格子のラマン分光測定を行った．

半導体中の電子はどのように遍歴化するか？：モット・アンダーソン転移の臨界指数

伊藤 公平、渡部道生、大塚洋一

日本物理学会誌 57 （ 11 ） 813-821 2002年

共著

Correlated to Random Transition of Ionized Impurity Distribution in N-Type Ge:(As;As)

J. Kato, K. M. Itoh, and E. E. Haller

Physica B 308-310   521-524 2001年12月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

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半導体中のドナーとアクセプタ不純物の分布が相関をもつものからランダムになることを強く示唆する実験結果を初めて観測した．

Raman Investigation of the Localized Vibrational Mode of Carbon in Strain-Relaxed Si1-xGex:C

K. Morita, K. M. Itoh, L. Hoffmann, B. Bech Nielsen, H. Harima, and K. Mizoguchi

Jpn. J. Appl. Phys. 40 （ 10 ） 5905-5906 2001年10月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

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SiGeC混晶中のCの局在振動をラマン分光によって測定することに成功した．

Donor and Acceptor Concentration Dependence of the Electron Mobility and the Hall Scattering Factor in N-Type 4H- and 6H-SiC

H. Iwata and K. M. Itoh

J. Appl. Phys. 89 （ 11 ） 6228-6234 2001年06月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

Observation of the Random-Correlated Transition of IonizedImpurity Distribution in Compensate Semiconductors

J. Kato, K. M. Itoh, and E. E. Haller

Phys. Rev. B 65   241201(R)1-4 2001年05月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

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半導体中のドナーとアクセプタ不純物の分布が相関をもつものからランダムになる実験結果に対して，詳細なる理論計算をおこなった．

Isotopically Engineered Semiconductors - New Media for the Investigation of Nuclear Spin Related Effects in Solids

K. M. Itoh and E. E. Haller

Physica E 10   463-466 2001年05月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

Coherent Confined LO Phonons in 70 Ge/ 74 Ge Isotope Superlattice

M. Nakajima, H. Harima, K. Morita, K. M. Itoh, K. Mizoguchi,E. E. Haller

Phys. Rev. B 63   161304(R) 2001年04月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

Electric Field Broadening of Arsenic Donor States in Strongly Compensated N-Type Ge:(As, Ga)

J. Kato, K. M. Itoh, and E. E. Haller

Physica B 302-303   1-6 2001年01月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

「金属・非金属転移」

伊藤公平

日本学術振興会学術月報 54 （ 10 ） 977-983 2001年

研究論文（学術雑誌）, 単著

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３次元における金属・非金属転移の物理を解説した．

「シリコン同位体単結晶の応用」

伊藤公平，田久賢一郎

応用物理 70 （ 10 ） 1187-1190 2001年

研究論文（学術雑誌）, 共著

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シリコン同位体単結晶の応用に関して熱伝導を中心に解説した．

Theory of the Anisotropy of the Electron Mobility in N-Type 4H- and 6H-SiC

H. Iwata, K. M. Itoh, G. Pensl

J. Appl. Phys. 88 （ 4 ） 1956-1961 2000年08月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

次世代コンピュータのためのシリコン単結晶

伊藤公平

パリティ　 Vol. 15 （ 2000年8月号 ） 34〜35. 2000年08月

研究論文（学術雑誌）, 単著

Localization Length and Impurity Dielectric Susceptibility in the Critical Regime of the Metal-Insulator Transition in Metal-Insulator Transition In Homogeneously Doped P-Type Ge

M. Watanabe, K. M. Itoh, Y. Ootuka, E. E. Haller

Phys. Rev. B 62 （ 4 ） R2255-R2258 2000年07月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

Growth and Characterization of 70Gen/74Gen Isotope Superlattices

K. Morita, K. M. Itoh, J. Muto, K. Mizoguchi, N.Usami, Y. Shiraki, and E. E. Haller

Thin Solid Films 369   405-408 2000年07月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り