慶應義塾研究者情報データベース

経歴 【 表示 ／ 非表示 】

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• 1990年04月

  -

  1995年03月

  慶應義塾大学理工学部 応用化学科, 助手

• 1994年10月

  -

  1995年03月

  通産省 工業技術院 電子技術総合研究所 電子基礎部 電子物性研究室, 招聘研究員

• 1995年04月

  -

  1997年03月

  慶應義塾大学理工学部 応用化学科, 専任講師

• 1996年04月

  -

  1997年03月

  グローニンゲン大学（オランダ）物質科学センター, 博士研究員

• 1997年04月

  -

  1998年03月

  慶應義塾大学理工学部 物理情報工学科, 専任講師

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学歴 【 表示 ／ 非表示 】

学歴 【 表示 ／ 非表示 】

• 1985年03月

  慶應義塾大学, 理工学部, 応用化学科

  大学, 卒業

• 1987年03月

  慶應義塾大学, 理工学研究科, 応用化学専攻

  大学院, 修了, 修士

• 1990年03月

  慶應義塾大学, 理工学研究科, 応用化学専攻

  大学院, 単位取得退学, 博士

学位 【 表示 ／ 非表示 】

学位 【 表示 ／ 非表示 】

• 博士(工学), 慶應義塾大学, 論文, 1994年06月

研究分野 【 表示 ／ 非表示 】

研究分野 【 表示 ／ 非表示 】

• 自然科学一般 / 磁性、超伝導、強相関系 (固体物性)

• 強相関電子物理

• 探索的材料物性

• 物質設計

著書 【 表示 ／ 非表示 】

著書 【 表示 ／ 非表示 】

• 戦略プロポーザル「半導体デバイス革新に向けた材料開発戦略　～2次元半導体材料の新規導入～」

  馬場 寿夫, 林 喜宏, 福井 弘行, 佐藤 隆博, 的場 正憲, 勝又 康弘, 伊藤 顕知, 曽根 純一, 2023年03月

  , 査読有り

• 戦略プロポーザル「情報・物理・数理の共創　～非平衡ダイナミクスの理解が見せる新たな景色～」

  嶋田 義皓, 赤木 浩, 大山 義仁, 佐川 みすず, 的場 正憲, 眞子 隆志, 宮下 哲, 吉脇 理雄, 木村 康則, 2023年03月

  , 査読有り

• 科学技術未来戦略ワークショップ報告書「低次元マテリアルのデバイス応用に向けた基盤技術の創出」

  馬場 寿夫, 林 喜宏, 福井 弘行, 佐藤 隆博, 的場 正憲, 勝又 康弘, 伊藤 顕知, 曽根 純一, 2023年03月

  , 査読有り

• 科学技術未来戦略ワークショップ報告書「情報と計算の物理と数理」

  嶋田 義皓, 赤木 浩, 大山 義仁, 佐川 みすず, 的場 正憲, 眞子 隆志, 宮下 哲, 吉脇 理雄, 木村 康則, 2023年03月

  , 査読有り

• 戦略プロポーザル「デジタル社会における新たなトラスト形成」

  福島 俊一, 加納 寛之, 上村 健, 住田 朋久, 高島 洋典, 戸田 智美, 花田 文子, 福井 章人, 的場 正憲, 茂木 強, 山本 里枝子, 若山 正人, 木村 康則, 2022年09月

  , 査読有り

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論文 【 表示 ／ 非表示 】

論文 【 表示 ／ 非表示 】

• 複合アニオン層状化合物 LaCu_1-δS_0.5Se_0.5O (δ ~ 0.01) 多結晶縮退半導体の光学バンドギャップ内構造

  東 伸彦, 澤田 拓希, 伊藤 大平, 坂上 良介, 的場 正憲, 臼井 秀知, 神原陽一

  材料の科学と工学 58 （ 2 ） 22 - 26 2021年04月

  研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

• Thermoelectric transport properties of the van der Waals-type layered rhombohedral SnAs-based compound, EuSn₂As₂

  Ryosuke Sakagami, Yosuke Goto, Harunari Karimata, Nobuhiko Azuma, Michitaro Yamaguchi, Suguru Iwasaki, Manami Nakanishi, Itsuki Kitawaki, Yoshikazu Mizuguchi, Masanori Matoba, Yoichi Kamihara

  Japanese Journal of Applied Physics 60 （ 3 ）  2021年03月

  研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り,  ISSN  00214922

  　概要を見る

  The thermoelectric transport properties of the van der Waals-type layered rhombohedral SnAs-based compound, EuSn2As2, have been investigated. A densified polycrystalline sample of EuSn2As2 with porosity (φ) of 2.4(9) vol.% exhibited a weak orientation to the c-axis for hexagonal coordination system; the weak orientation is parallel (P ∥) to the pressing direction of hot pressing. Measurements of electrical resistivity (ρ), Seebeck coefficient (S), and thermal conductivity (κ) were conducted perpendicular (P ⊥) to the pressing direction. The experimental values of ρ and S exhibit metallic temperature dependence and p-type carrier polarity. The power factor (P) was 0.51(8) mW m-1 K-2 at 673(4) K. Using the Wiedemann-Franz-Lorenz law, the phonon thermal conductivity (κ ph) was estimated to be 0.4(6) W m-1 K-1 at 673(6) K. The dimensionless figure of merit, ZT, was 0.092(17) at 673(3) K.

  • Access to Document (DOI)

• Proposal of disruptive computing (A computing-domain-oriented approach)

  T. Baba, Y. Shimada, S. Kawamura, M. Matoba, T. Fukushima, S. Fujii, T. Nagano, Y. Katsumata, N. Kochi, Y. Kimura

  Japanese Journal of Applied Physics 59 （ 5 ） 050503-1 - 050503-13 2020年05月

  研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り,  ISSN  00214922

  　概要を見る

  The advanced data processing on the edge devices is getting much attention in addition to the performance of cloud computing for big data analysis and artificial intelligence for the advanced cyber-physical systems and Internet of Things. This paper shows the challenges of research and development on disruptive computing which enhance the conventional computing system with high performance and low power consumption. Future R&D challenges in computing technologies involve all technology layers including algorithms, packaging, software, architecture, circuits, devices, and materials. It is important from the perspective of social implementation and efficiency to select technologies suitable for important applications from each technology layer specific to the computing domain and with consideration for the timeline, and to develop technologies through a vertical integration approach. The promoting method of implementing such R&D is also described.

  • Access to Document (DOI)

• 混合アニオン層状化物Sr₂CrFeAsO_3-δの電子磁気相図

  山口 道太郎, 藤岡 弘孝, 大塚 貴史, 瀬戸 誠, 北尾 真司, 的場 正憲，神原 陽一

  日本磁気学会論文特集号 （日本磁気学会)  3   28 - 33 2019年05月

  研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

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  混合アニオン層状化合物Sr2CrFeAsO3-deltaの電子磁気状態相図を明らかにした。試料は主相以外に異相を含むため、分析化学的に格子体積と酸素欠損量の線形関係を仮定し、試料の化学組成を求めた。Sr2CrFeAsO3-deltaに含まれるFeは、酸素欠損量におうじて、”ストライプ型反強磁性相”と”内部磁場に分布の存在する反強磁性相”のいずれかを示す。

• Superconducting properties of a mixed anion layered compound, Ca and F co-doped LaFeAsO with T_c = 31.5 K

  Kodai Kaneyasu, Ryosuke Sakagami, Masanori Matoba, Yoichi Kamihara

  Japanese Journal of Applied Physics （Japanese Journal of Applied Physics)  58 （ 3 ） 030911.1 - 030911.5 2019年03月

  研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り,  ISSN  00214922

  　概要を見る

  Polycrystalline Ca and F co-doped LaFeAsO samples (La1-xCaxFeAsO1-yFy) were synthesized by solid-state reactions. Samples with nominal composition: (y - x) ≤ 0.05 did not show superconductivity at temperatures T > 4.2 K, although an anomalous kink of the ρ-T curves, which is related to crystallographic phase transitions, was observed at T ∼ 150 K. Samples with nominal composition: (y - x) ≥ 0.15 did exhibit superconductivity. The superconducting transition temperature (T c) of co-doped LaFeAsO with nominal composition: (x, y) = (0.25, 0.50) was determined to be T c = 31.5 K, which is higher than the highest T c value observed for LaFeAsO1-xFx materials synthesized under ambient pressure.

  • Access to Document (DOI)

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KOARA（リポジトリ）収録論文等 【 表示 ／ 非表示 】

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• 量子もつれを有する新相関電子系における量子機能の開拓

  的場, 正憲

  学事振興資金研究成果実績報告書 （慶應義塾大学)  2017年

• 二次元近藤格子系の量子臨界状態と電子構造

  的場, 正憲

  科学研究費補助金研究成果報告書 2016年

研究発表 【 表示 ／ 非表示 】

研究発表 【 表示 ／ 非表示 】

• ファンデルワールス型二次元材料EuSn₂P₂ の元素選択的な磁性

  清水 眞秀, 山田 悠太郎, 神原 陽一, 的場 正憲

  第70回 応用物理学会春期学術講演会, 

  2023年03月

  , 

  口頭発表（一般）

• 磁気光学イメージングによるnominal SmFeAsO_0.77H_0.14の臨界電流密度測定

  末村 智紀, 川松 拓也, 堀地 竜成, 神原 陽一, 的場 正憲

  日本材料科学会第27回若手研究者討論会, 

  2022年12月

  , 

  口頭発表（一般）

• H-dopeを試みた層状オキシカルコゲナイドLaCuS_0.5Se_0.5Oの電気的性質

  伊藤 大平, 中島 大, 東 伸彦, 的場 正憲, 神原 陽一, 藤岡 正弥

  日本材料科学会第27回若手研究者討論会, 

  2022年12月

  , 

  口頭発表（一般）

• 水素導入熱処理プロセスのY_0.77Gd_0.23Ba₂Cu₃O_7-δ薄膜の安定性

  浪田 秀郎, 佐藤 弘之, 的場 正憲, 藤岡 正弥, 岩崎 秀, 原 由子, 原田 工夢, 三浦 正志, 神原 陽一

  日本材料科学会第27回若手研究者討論会, 

  2022年12月

  , 

  口頭発表（一般）

• YBa₂Cu₃O_7-δの酸素発生反応における触媒能の評価

  田原 大雅, 貝塚 泰介, 倉持 令, 的場 正憲, 神原 陽一

  日本材料科学会第27回若手研究者討論会, 

  2022年12月

  , 

  口頭発表（一般）

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競争的研究費の研究課題 【 表示 ／ 非表示 】

競争的研究費の研究課題 【 表示 ／ 非表示 】

• 二次元近藤格子系の量子臨界状態と電子構造

  2014年04月

  -

  2017年03月

  文部科学省・日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 的場　正憲, 基盤研究(C), 補助金,  研究代表者

  　研究概要を見る

  磁気秩序が抑制された近藤格子系層状オキシプニクタイドCeFePOの磁性に対するCr置換効果を探求し、Cr5%とCr45%の近傍組成で2つの強磁性量子臨界点を確認した。CeFePOの電子比熱の増大から近藤温度12 K 以下において、Kondo一重項の存在が確認された。一方、Cr20%では、6 K以下で強磁性転移の出現と電子熱容量の著しい減少が観測され、Kondoブレイクダウンが起きている。また、磁場印加により磁気相転移点の増大が確認され、強磁性相における強磁性揺らぎの存在が示唆される。また、Cr50%では、25K付近において、Feの磁気状態がスピン密度波状態に相転移していることが予想される。

Works 【 表示 ／ 非表示 】

Works 【 表示 ／ 非表示 】

• 大学と地域との連携を考える

  的場 正憲

  2010年03月

  , 

  その他, 単独

知的財産権等 【 表示 ／ 非表示 】

知的財産権等 【 表示 ／ 非表示 】

• 混合アニオン化合物鉄系超電導導体とその製造方法

  出願日： 2016-191311  2016年09月 

  公開日： 2018-055975  2018年04月 

  特許権, 共同

• 層状ビスマスカルコゲナイド系熱電変換材料及びその製造方法

  出願日： 2015-168193  2015年08月 

  公開日： 2016-058725 (P2016-58725A)  2016年04月 

  特許権, 共同

受賞 【 表示 ／ 非表示 】

受賞 【 表示 ／ 非表示 】

• Best presentation award

  Yutaro Yamada, Ryosuke Sakagami, Masanori Matoba, and Yoichi Kamihara, 2022年11月, The Materials Research Society of Korea, Thin film preparation and Raman spectroscopy of EuSn₂As₂

  受賞区分： 国際学会・会議・シンポジウム等の賞

• Best Presentation Awards (Poster)

  Manami Nakanishi, Masanori Matoba, and Yoichi Kamihara, 2018年11月, The Materials Science Society of Japan, Electrical structure and thermal properties of ZrCuSiAs type mixed anion layered compounds

  受賞区分： 国際学会・会議・シンポジウム等の賞

• 日本材料科学会 功労賞

  的場 正憲, 2013年06月

• 熱電変換シンポジウム2000(TEC2000)研究優秀賞

  岡部 博孝，的場 正憲, 2000年07月, 熱電変換研究会(現日本熱電変換学会), 擬1次元強相関電子材料の熱電特性

  受賞区分： 国内学会・会議・シンポジウム等の賞

その他 【 表示 ／ 非表示 】

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• 2012年05月

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  フローニンヘンの戦略的邂逅（科学技術振興機構サイエンスポータル・レポート：第34回研究開発戦略ローンチアウト）

担当授業科目 【 表示 ／ 非表示 】

担当授業科目 【 表示 ／ 非表示 】

• プレゼンテーション技法

  2024年度

• 学外特別研修（中期インターンシップ）

  2024年度

• 学外特別研修（長期インターンシップ）

  2024年度

• 理工学基礎実験

  2024年度

• 量子力学入門

  2024年度

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担当経験のある授業科目 【 表示 ／ 非表示 】

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• 量子力学入門 （物理情報工学科2年生：2021-）

  慶應義塾大学

  2021年04月

  -

  継続中

• 物理情報工学実験C&D （物理情報工学科3年生：2013-)

  慶應義塾大学

  2013年04月

  -

  継続中

• 物性物理同演習 (物理情報工学科3年生：2013-2020)

  慶應義塾大学

  2013年04月

  -

  2021年03月

• 量子力学入門 （物理情報工学科2年生：2012-2017）

  慶應義塾大学

  2012年04月

  -

  2017年03月

• 物理情報工学演習（物理情報工学科3年生：2012-2015）

  慶應義塾大学

  2012年04月

  -

  2015年03月

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社会活動 【 表示 ／ 非表示 】

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• 応用物理学会 超集積エレクトロニクス産学連携委員会

  2022年04月

  -

  継続中

• (国立研究開発法人) 科学技術振興機構 研究開発戦略センター

  2011年04月

  -

  継続中

• 日本学術振興会 シリコン超集積化システム 第165委員会

  2011年04月

  -

  2022年03月

• 慶應義塾大学大学院 情報・電気・電子分野 グローバルCOEプログラム「アクセス空間支援基盤技術の高度国際連携」

  2009年04月

  -

  2012年03月

• 物性グループ百人委員会

  1998年10月

  -

  2002年03月

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所属学協会 【 表示 ／ 非表示 】

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• 日本磁気学会, 

  2007年10月

  -

  継続中

• 日本高圧力学会第44回高圧討論会, 

  2003年05月

  -

  2003年11月

• 日本熱電学会, 

  2002年03月

  -

  継続中

• 日本材料科学会, 

  2001年06月

  -

  継続中

• 日本応用磁気学会 化合物新磁性材料専門研究会, 

  2001年05月

  -

  2007年09月

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委員歴 【 表示 ／ 非表示 】

委員歴 【 表示 ／ 非表示 】

• 2022年04月

  -

  継続中

  委員, 応用物理学会 超集積エレクトロニクス産学連携委員会

• 2011年04月

  -

  継続中

  フェロー, (国立研究開発法人) 科学技術振興機構 研究開発戦略センター

• 2011年04月

  -

  2022年03月

  委員, 日本学術振興会 シリコン超集積化システム 第165委員会

• 2010年07月

  -

  2013年03月

  編集委員, 日本熱電学会

• 2009年04月

  -

  2012年03月

  「革新的デバイス創生のための物理基盤工学」 研究推進協力者, 慶應義塾大学大学院 情報・電気・電子分野 グローバルCOEプログラム「アクセス空間支援基盤技術の高度国際連携」

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