慶應義塾研究者情報データベース

経歴 【 表示 ／ 非表示 】

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• 2017年04月

  -

  2020年03月

  名城大学, 理工学部, 特任助手

• 2020年05月

  -

  2023年03月

  上智大学, ナノテクノロジーセンター, 特別研究員

• 2023年04月

  -

  2025年03月

  慶應義塾大学, 理工学研究科, 特任助教

• 2025年04月

  -

  継続中

  慶應義塾大学, 理工学研究科, 助教（有期）

学位 【 表示 ／ 非表示 】

学位 【 表示 ／ 非表示 】

• 博士（工学）, 名城大学, 課程, 2020年03月

研究分野 【 表示 ／ 非表示 】

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• ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学

• ナノテク・材料 / ナノ材料科学

• ナノテク・材料 / 結晶工学

• ナノテク・材料 / 光工学、光量子科学

研究キーワード 【 表示 ／ 非表示 】

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• グラフェン

• ナノカーボン

• 光デバイス

• 窒化ガリウム

• 窒化物半導体

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論文 【 表示 ／ 非表示 】

論文 【 表示 ／ 非表示 】

• Defect-engineered graphene infrared emitting devices with enhanced stability and low power consumption

  Yui Shimura, Jumpei Yamada, Hideyuki Maki

  Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications （Elsevier BV）  72 2026年09月

  筆頭著者, 責任著者,  ISSN  1569-4410

  • Access to Document (DOI)

• Significant red-emission enhancement using column-top-exposed InGaN-based nanocolumn plasmonic crystals with honeycomb lattice

  Kyohei Koseki, Hiroto Otsuka, Ryoma Shirotori, Jumpei Yamada, Koichi Okamoto, Rie Togashi, Katsumi Kishino, Takao Oto

  Applied Physics Letters 2026年06月

  筆頭著者, 責任著者

  • Access to Document (DOI)

• Red emission enhancement via strong coupling between photonic–plasmonic band states in InGaN/GaN honeycomb nanocolumn plasmonic crystals

  Hiroto Otsuka, Ryoma Shirotori, Shotaro Hayakawa, Jumpei Yamada, Koichi Okamoto, Rie Togashi, Katsumi Kishino, Takao Oto

  Applied Physics Letters 2026年04月

  筆頭著者, 責任著者,  ISSN  0003-6951

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  <jats:p>InGaN-based light-emitting diodes (LEDs) exhibit excellent emission efficiency in the blue spectral region but experience severe degradation of external quantum efficiency in the red region, primarily due to lattice strain and increased defect density. To address this limitation, we introduced surface plasmon polaritons into InGaN/GaN nanocolumn (NC) arrays arranged in a honeycomb lattice to enhance red-light emission. Deposition of Ag films on the photonic crystal NCs generated plasmonic crystals that allowed precise control of photonic–plasmonic band interactions. Angle-resolved photoluminescence measurements combined with electromagnetic field analysis revealed that strong coupling occurs when photonic and plasmonic field modes are spectrally and spatially matched. Rabi splitting was observed due to the strong coupling between photonic and plasmonic band states, and a 9.6-fold enhancement in red emission was achieved through the combined effects of strong and weak coupling. This controllable strong coupling between photonic and plasmonic band states provides a promising approach for overcoming the intrinsic efficiency limitations of InGaN-based red LEDs while simultaneously enhancing their optical functionality.</jats:p>

  • Access to Document (DOI)

• Thermal light emitters based on graphene directly grown on chips by etching-precipitation method

  Yui Shimura, Shinichiro Matano, Jumpei Yamada, Suguru Noda, Hideyuki Maki

  Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications （Elsevier BV）  65   101400 - 101400 2025年07月

  ISSN  1569-4410

  • Access to Document (DOI)

• Improving the luminous efficiency of red nanocolumn μ-LEDs by reducing electrode size to ϕ2.2 μm

  Katsumi Kishino, Ai Mizuno, Tatsuya Honda, Jumpei Yamada, Rie Togashi

  Applied Physics Express （IOP Publishing）  17 （ 1 ） 014004 - 014004 2023年12月

  ISSN  1882-0778

  　概要を見る

  Abstract
  
  A red InGaN-based nanocolumn micro μLED with an emission diameter of ϕ2.2 μm was demonstrated to achieve an on-wafer external quantum efficiency (EQE) of 2.1% at the peak wavelength of 615 nm. The LED was fabricated by repeating the electrode process on the same nanocolumn pattern area and reducing the emission diameter from ϕ80 to ϕ2.2 μm. The peak EQE, which was maximized at ∼25 A cm⁻², increased by decreasing the emission diameter from 1.2% to 2.1%. This behavior, which differs from that of InGaN-film LEDs, is characterized as a unit of independent nano-LEDs with passivated sidewalls of nanocolumn LEDs.

  • Access to Document (DOI)

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総説・解説等 【 表示 ／ 非表示 】

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• ナノカーボン熱発光デバイス開発と赤外分析応用

  山田純平, 牧英之

  検査技術 31 （ 7 ） 8 - 14 2026年07月

• 様々な結晶面を利用したInGaN系ナノコラム結晶の成長と発光デバイス応用

  山田純平, 水野愛, 富樫理恵, 野村一郎, 岸野克巳

  電子情報通信学会技術研究報告(IEICE Technical Report) 122 （ 273 ） 99 - 102 2022年

• 同芯型多段構造をもつグラフェン被覆銅線作製のための電解メッキ薄膜化について

  藤原 亨介, 伊藤 幹人, 上田 悠貴, 山田 純平, 成塚 重弥, 丸山 隆浩

  名城大学総合研究所紀要  （ 24 ） 29 - 32 2019年

• 減圧窒素マイクロプラズマ処理における処理圧力とプラズマ到達距離との関係

  杉山 隼大, 日下部 安宏, 竹中 駿, 上田 悠貴, 山田 純平, 丸山 隆浩, 成塚 重弥

  名城大学総合研究所紀要  （ 23 ） 45 - 48 2018年

• グラフェン析出成長法における酸化アルミニウムバリア層を用いた核発生制御

  成塚重弥, 山田純平, 上田悠貴, 丸山隆浩

  名城大学総合研究所紀要  （ 22 ） 41 - 44 2017年

知的財産権等 【 表示 ／ 非表示 】

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• 導電体の製造方法

  出願日： 特願2017-174591   

  公開日： 特開2019-050160   

  公表日： 特表第6871614号   

  特許権

• グラフェン基板の製造方法

  出願日： 特願2015-231673   

  公開日： 特開2017-095327   

  発行日： 特許第6708397号 

  特許権

• グラフェン基板、及びこの製造方法

  出願日： 特願2017-073383   

  公開日： 特開2018-181863   

  発行日： 特許第6845568号 

  特許権

受賞 【 表示 ／ 非表示 】

受賞 【 表示 ／ 非表示 】

• JSAP Poster Award

  山田 純平, 2023年05月, 第70回応用物理学会春季学術講演会

• 発表奨励賞

  山田 純平, 2021年12月, 第13回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会

• 学長表彰

  山田 純平, 2020年03月, 名城大学

• Poster Award

  Jumpei Yamada, 2019年08月, 19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy

• 若手ポスター賞

  山田純平, 2015年09月, 第39回 結晶成長討論会

担当授業科目 【 表示 ／ 非表示 】

担当授業科目 【 表示 ／ 非表示 】

• 半導体工学

  2026年度

• 半導体工学

  2025年度