Papers - Ohta, Eiji

Electrical and optical propereties of Ga2O3/CuGaSe2 heterojunction photoconductors

OHTA EIJIKIKUCHI Kenji/IMURA S/MIYAKAWA K/KUBOTA M/OHTA Eiji

Thin Solid Films 550   635 2014.02

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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Ga2O3/CuGaSe2　ヘテロ接合を有する光伝導体を光センサに利用する可能性を実験的に研究した。　暗電流は小さく、アバランシェ増倍効果が見られたが、可視光域で翁感度を得ることはできなかった。そこでGa2O3にSnを加えたところ可視光域の感度が上昇した．

Significance of the interface regarding magnetic properties of manganese nanosilicide in silicon

ONO Y. MIYAZAKI Y. YABUUCHI SHIN KAGESHIMA H. NAGASE M. FUJIWARA A. OHTA EIJI

Thin Solid Films 519   8505-8508 2011.11

Research paper (scientific journal), Joint Work

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シリコン中のマンガンシリサイド超微粒子の界面が磁性発現に重要な役割を果たすことを実験的に示した。

‘Electrical detection of ferromagnetism in Pd nanoparticles by magnetoresistance measurement’

　T.Okamoto, H.Maki, Y.Oba, S.Yabuuchi, T.Sato, E. Ohta

J. Appl. Phys. 106   023908 2009.06

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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二次元に配置されたPd超微粒子の磁性を磁気抵抗測定により実験的に研究した。磁気抵抗は磁気測定から得られるヒステリシス曲線の保磁力付近で最大約4％を得た。

‘Origin of ferromagnetism of MnSi1.7 nanoparticles in Si: First-principle calculation’

(/)-#HR　S. Yabuuchi, H. Kageshima, Y. Ono, M. Nagase, A. Fujiwara, E. Ohta

Phys.Rev. B B78   045307 2008.07

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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シリコン中のMnSi1.7超微粒子の磁性の原因を第一原理計算により研究した。バルクの磁性は、組成、歪み、電荷により影響を受ける．MnSi1.7/Si界面に強く局在する強磁性が生じうることを示した．二つの強磁性発生機構はそれぞれ実験的に観測された硬磁性と軟磁性に関連づけられることを示した。

‘Ferromagnetism of manganese-silicide nanopariticles in Si’

(/)-#HR　S. Yabuuchi, Y. Ono, M. Nagase, H. Kageshima, A. Fujiwara, E. Ohta

Jpn. J. Appl. Phys. 47 ( 6 ) 4487-4490 2008.06

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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マンガンをイオン打込みしたシリコンの強磁性を700-900℃の熱処理の下で実験的に研究した。Mnを含む超微粒子が生じ、その粒径は熱処理温度とともに増加し、強磁性を示した．保磁力2500Oeと小さな保磁力を示す強磁性を見出した．これをMnSi1.7超微粒子の粒径分布と関連づけて議論した．

First-Principle Calculation of Uniaxial Strain Effects on Manganese in Silicon

(/)-#HR　Shin Yabuuchi, Eiji Ohta, and Hiroyuki Kageshima

Jpn. J. Appl. Phys. 47   26-30 2008.01

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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シリコン中のマンガンの電子的性質に対する一軸歪効果を第一原理計算により研究した。シリコン中のMnの形成エネルギーは3.3％の歪により0.1eV減少し、Mnの磁気モーメントは3uBであった。計算の結果は、一軸応力が電子状態に影響を与えることを示している．

First-principles study of strain effects on Mn in Si

(/)-#HR Shin Yabuuchi, Eiji Ohta, Hiroyuki Kageshima, Akihito Taguchi

Physica B 376-377   672-676 2006

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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シリコン中の Mn不純物に対する歪みの効果を第一原理計算により研究した。Mnは引張り歪みの場合に磁気モーメントを持ちながら置換型となることを示した．高濃度Mn条件では置換型Mn複合体が構造変化を生じ、結晶の格子定数を減少させる。

Evidence for a hard gap and Wigner lattice in heavily boron-doped synthetic diamonnd

T.Sudou, K.Ohashi, SATO TOSHIMARO, OHTA EIJI, S.Okayasu,and H.Sugai

Physical Review　B 71   045221 2005.01

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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高濃度Bドープダイヤモンド結晶の低周波生成-再結合ノイズを20-300Kの温度で測定した。生成-再結合ノイズには120Kと67Kにピークが見られた。120Kピークは10.4meVの幅を持つハードギャップの存在を示し、67Kのピークはギャップ幅の5.8meVのWigner格子の存在で説明できる。

Improved Thermoelectric Properties in Structure Controlled Ag-Sb-Te Systems

S.Yoneda, Y.Ohno, OHTA EIJI,N.Yuhashi, I.Shiota, Y.Shinohara, H.T.Kaibe, I.J.Ohsugi, and I.A.Nishida

IEEJ Trans. FM 124 ( 4 ) 312-315 2004.04

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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p型Ag0.208Sb0.275Te0.517結晶ブリッジマン炉による一方向成長が行われ、その後急冷することにより高温相AgSbTe2を作成した。XRDパターンはAg2TeとSb2Te3析出物が含まれることを示している．この材料の熱電性能指数Zを300-700Kの温度で評価した．最大の性能指数は、結晶前半では620Kで2×10＾-3/K、結晶後半では585Kで1.7×10＾-3/Kであった。

Visible photoluminescence from evaporated SiOx thin films

Okada Takeru, Ohta Eiji

Japanese Journal of Applied Physics 41 ( 11A ) 6413-6416 2002.11

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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SiOを原料としてシリコン基板上にSiOx薄膜を形成した．作成直後の薄膜はUV光のもとで青色発光を示した．熱処理後の光ルミネセンスは温度とともに可視光から赤外へシフトした．青色発光はSiOx中の酸素空孔により、赤色発光はSiOx中に埋込まれたSiクラスタの量子閉じ込め効果によって説明可能である。

ケルビンプローブ法によるTPD/Alq3系有機EL素子の接触電位差測定

KISHINO KENGO, OHTA EIJI

The Journal of the Surface Science Society of Japan 23 ( 7 ) 445-460 2002.07

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted,  ISSN  0388-5321

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いくつかの基板上の有機EL（TPD/Alq3）系の接触電位をケルビンプローブ法により測定した。Alq3/Al界面へのKiF導入は電子注入障壁を低下させ、接触電位は10-20Åの厚さで急速に変化することを見出した。

Effect of Substrate-Film Lattice Mismatch in La0.7Ba0.3MnO3-δThin Films for Transport Properties

K. Hayashi, E. Ohta and H. Wada

J. Vac. Sci. Technol. A (2001) Vol. 19 ( No. 6 ) 2905-2909 2001.11

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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冷却の必要のない赤外検出器（ボロメータ）のためにLa0.7Ba0.3MnO3-δ （LBMO）薄膜の使用を検討した。基板とLMBO薄膜の格子不整合は薄膜抵抗の温度依存性に影響を与える、LMBO薄膜/STOでは300Kで4％/Kの抵抗温度係数を得た．

The Substrate-Film Lattice Mismatch in La_0.7_Ba_0.3_MnO_3_ Thin Films for Uncooled Infrared Bolometric Applications

K. Hayashi, E. Ohta and H. Wada

Trans. IEE Jpn (2001) Vol. 121-E ( No. 10 ) 542-547 2001.10

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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La0.7Ba0.3MnO3（LMBO）薄膜が冷却不要の赤外検出器（ボロメータ）のために作成された。レーザーアブレーションによるLMBO薄膜がいくつかの基板上に作成された。LMBO/STO薄膜は室温付近で役4％/Kの抵抗温度係数（TCR）を示し、LaAlO3またはMgO基板上のLMBO薄膜は大きな格子不整合を持っているが、室温付近で2％/Kの低いTCRを示した．

Fabrication of Bi-La-Sr-Mn-O Uncooled Microbolometer

K. Hayashi, E. Ohta, H. Wada, H. Higuma and S. Miyashita

Jpn. J. Appl. Phys.(2001) Vol. 40 ( No. 9A ) 5281-5284 2001.09

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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3%/K以上の抵抗温度係数（TCR）を持つペロブスカイト型Mn酸化物Bi-La-Sr-Mn-O（BLSMO）を用いて微小ボロメータ（38×38um2）の単一素子を構成して評価した．検出器の熱伝導率は1.3×10＾-7W/Kであり、4.8×10＾5V/Wの応答特性を得た．

Deep level transient spectroscopy analysis of an anatase epitaxial film grown by metal organic chemical vapor deposition

T.Miyagi, T.Ogawa, M.Kamei, Y.Wada, T.Mitsuhashi, A.Yamazaki, E.Ohta, and T.Sato

Jpn. J. Appl. Phys (2001) Vol.40[PtII] ( No.4B ) L404-L406 2001.04

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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アナターーゼ型TiO2のDLTS測定を初めて行った。伝導性NbドープSrTiO3基板上にアナターゼTiO2が有機金属化学堆積法により形成された。アナターゼ薄膜は伝導帯の下0.96eVに大きなキャリア捕獲断面積（8.3×10＾-13cm2）を有する深い準位の存在を示した．この深い準位の原因は、翁捕獲断面積のために点欠陥ではなく線状欠陥であると推定した．

The Bi-Substitution Effect in La-Sr-Mn-O Thin Films for Bolometric Applications.

K. Hayashi, E. Ohta, and H. Wada

Jpn. J. Appl. Phys (2001) 40   L403-L405 2001.03

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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室温近くで大きな抵抗温度係数（TCR）を持つLa0.7Sr0.3MnO3-δ（LSMO）薄膜がレーザーアブレーション法で400℃で形成された．400℃の低温形成とBi置換はTCRを増加させ、10-150℃で2％/K伊寿を示した。

Possibility of improvement of thermoelectric properties of Pb_1-x_Sn_x_Te by the Functional Graded Materials

S.Yoneda, E.Ohta, H.T.Kaibe, I.J.Ohsugi, Y.Shinohara, and I.A.Nishida

J. Advanced Science (2000) Vol.12 ( No.4 ) 379-384 2001.02

Research paper (scientific journal), Joint Work

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一方向の温度勾配のもとで冷却中にロッキング可能な電気炉を用いる新しい方法により一様なPb1-xSnxTe結晶を成長させた。室温における熱電特性を組成xの関数として調べ、Kaneモデルで解析した．室温における熱伝導率、抵抗および熱電能温度依存性より熱電性能指数Zを推定した。Pb1-xSnxTe結晶のを用いた3段傾斜機能構造の最大変換効率は一様なPb0.5Sn0.5Teより27％超えた．

Grain size effect on thermoelectric properties of PbTe prepared by spark plasma sintering

S.Yoneda, E.Ohta, H.T.Kaibe, I.J.Ohsugi, I.Shiota, and I.A.Nishida

The Japan Institute of Metals, Materials Transactions(2001) 42 ( 2 ) 329-335 2001.02

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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28-309umの平均粒径を持つPbTeがプラズマ焼結法により作製された。焼結PbTeの密度は理論値の99％以上であり、77-350Kの温度で熱電特性を測定した。焼結PbTeの格子熱伝導率は250K以下で粒径の低下とともに減少したが、熱電特性は結晶成長試料と同等であった。

Bismuth-Substituted Lanthanum Manganite for Bolometric Applications.

K. Hayashi, E. Ohta, H. Wada, and H. Higuma

Jpn. J. Appl. Phys. (2000) 39   L1308-L1310 2000.12

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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室温で大きな抵抗温度係数（TCR）を得るためにペロブスカイト型Mn酸化物（(Bi,La)1-xSrxMnO3）バルク試料を作製し、表面形状、結晶性、電気的特性に対するBi置換の効果を調べた。抵抗温度係数は半導体的な熱活性化型であり、室温で3.6％/KのTCRを示した．

Phenomenological Theory of Semiconductor Epitaxial Growth with Misfit-Dislocation

K.Okajima, K.Takeda, N.Oyama, E.Ohta, K,Shiraishi, and T.Ohno

Jpn.J. Appl. Phys. (2000) 39 ( 9 ) L917-L920 2000.09

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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Stranski-Krastanovアイランドの形成とミスフィット転位の効果を含む半導体ヘテロエピタキシャル層の成長様式の現象の理論的研究を行った．この理論で得られるIn/GaAs(110)の臨界膜厚は実験とよく一致している。