Papers - Ohta, Eiji

Electrical and optical propereties of Ga2O3/CuGaSe2 heterojunction photoconductors

OHTA EIJIKIKUCHI Kenji/IMURA S/MIYAKAWA K/KUBOTA M/OHTA Eiji

Thin Solid Films 550   635 2014.02

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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Ga2O3/CuGaSe2　ヘテロ接合を有する光伝導体を光センサに利用する可能性を実験的に研究した。　暗電流は小さく、アバランシェ増倍効果が見られたが、可視光域で翁感度を得ることはできなかった。そこでGa2O3にSnを加えたところ可視光域の感度が上昇した．

Significance of the interface regarding magnetic properties of manganese nanosilicide in silicon

ONO Y. MIYAZAKI Y. YABUUCHI SHIN KAGESHIMA H. NAGASE M. FUJIWARA A. OHTA EIJI

Thin Solid Films 519   8505-8508 2011.11

Research paper (scientific journal), Joint Work

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シリコン中のマンガンシリサイド超微粒子の界面が磁性発現に重要な役割を果たすことを実験的に示した。

‘Electrical detection of ferromagnetism in Pd nanoparticles by magnetoresistance measurement’

　T.Okamoto, H.Maki, Y.Oba, S.Yabuuchi, T.Sato, E. Ohta

J. Appl. Phys. 106   023908 2009.06

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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二次元に配置されたPd超微粒子の磁性を磁気抵抗測定により実験的に研究した。磁気抵抗は磁気測定から得られるヒステリシス曲線の保磁力付近で最大約4％を得た。

‘Origin of ferromagnetism of MnSi1.7 nanoparticles in Si: First-principle calculation’

(/)-#HR　S. Yabuuchi, H. Kageshima, Y. Ono, M. Nagase, A. Fujiwara, E. Ohta

Phys.Rev. B B78   045307 2008.07

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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シリコン中のMnSi1.7超微粒子の磁性の原因を第一原理計算により研究した。バルクの磁性は、組成、歪み、電荷により影響を受ける．MnSi1.7/Si界面に強く局在する強磁性が生じうることを示した．二つの強磁性発生機構はそれぞれ実験的に観測された硬磁性と軟磁性に関連づけられることを示した。

‘Ferromagnetism of manganese-silicide nanopariticles in Si’

(/)-#HR　S. Yabuuchi, Y. Ono, M. Nagase, H. Kageshima, A. Fujiwara, E. Ohta

Jpn. J. Appl. Phys. 47 ( 6 ) 4487-4490 2008.06

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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マンガンをイオン打込みしたシリコンの強磁性を700-900℃の熱処理の下で実験的に研究した。Mnを含む超微粒子が生じ、その粒径は熱処理温度とともに増加し、強磁性を示した．保磁力2500Oeと小さな保磁力を示す強磁性を見出した．これをMnSi1.7超微粒子の粒径分布と関連づけて議論した．

First-Principle Calculation of Uniaxial Strain Effects on Manganese in Silicon

(/)-#HR　Shin Yabuuchi, Eiji Ohta, and Hiroyuki Kageshima

Jpn. J. Appl. Phys. 47   26-30 2008.01

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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シリコン中のマンガンの電子的性質に対する一軸歪効果を第一原理計算により研究した。シリコン中のMnの形成エネルギーは3.3％の歪により0.1eV減少し、Mnの磁気モーメントは3uBであった。計算の結果は、一軸応力が電子状態に影響を与えることを示している．

First-principles study of strain effects on Mn in Si

(/)-#HR Shin Yabuuchi, Eiji Ohta, Hiroyuki Kageshima, Akihito Taguchi

Physica B 376-377   672-676 2006

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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シリコン中の Mn不純物に対する歪みの効果を第一原理計算により研究した。Mnは引張り歪みの場合に磁気モーメントを持ちながら置換型となることを示した．高濃度Mn条件では置換型Mn複合体が構造変化を生じ、結晶の格子定数を減少させる。

Evidence for a hard gap and Wigner lattice in heavily boron-doped synthetic diamonnd

T.Sudou, K.Ohashi, SATO TOSHIMARO, OHTA EIJI, S.Okayasu,and H.Sugai

Physical Review　B 71   045221 2005.01

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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高濃度Bドープダイヤモンド結晶の低周波生成-再結合ノイズを20-300Kの温度で測定した。生成-再結合ノイズには120Kと67Kにピークが見られた。120Kピークは10.4meVの幅を持つハードギャップの存在を示し、67Kのピークはギャップ幅の5.8meVのWigner格子の存在で説明できる。

Improved Thermoelectric Properties in Structure Controlled Ag-Sb-Te Systems

S.Yoneda, Y.Ohno, OHTA EIJI,N.Yuhashi, I.Shiota, Y.Shinohara, H.T.Kaibe, I.J.Ohsugi, and I.A.Nishida

IEEJ Trans. FM 124 ( 4 ) 312-315 2004.04

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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p型Ag0.208Sb0.275Te0.517結晶ブリッジマン炉による一方向成長が行われ、その後急冷することにより高温相AgSbTe2を作成した。XRDパターンはAg2TeとSb2Te3析出物が含まれることを示している．この材料の熱電性能指数Zを300-700Kの温度で評価した．最大の性能指数は、結晶前半では620Kで2×10＾-3/K、結晶後半では585Kで1.7×10＾-3/Kであった。

Visible photoluminescence from evaporated SiOx thin films

Okada Takeru, Ohta Eiji

Japanese Journal of Applied Physics 41 ( 11A ) 6413-6416 2002.11

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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SiOを原料としてシリコン基板上にSiOx薄膜を形成した．作成直後の薄膜はUV光のもとで青色発光を示した．熱処理後の光ルミネセンスは温度とともに可視光から赤外へシフトした．青色発光はSiOx中の酸素空孔により、赤色発光はSiOx中に埋込まれたSiクラスタの量子閉じ込め効果によって説明可能である。

ケルビンプローブ法によるTPD/Alq3系有機EL素子の接触電位差測定

KISHINO KENGO, OHTA EIJI

The Journal of the Surface Science Society of Japan 23 ( 7 ) 445-460 2002.07

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted,  ISSN  0388-5321

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いくつかの基板上の有機EL（TPD/Alq3）系の接触電位をケルビンプローブ法により測定した。Alq3/Al界面へのKiF導入は電子注入障壁を低下させ、接触電位は10-20Åの厚さで急速に変化することを見出した。

Effect of Substrate-Film Lattice Mismatch in La0.7Ba0.3MnO3-δThin Films for Transport Properties

K. Hayashi, E. Ohta and H. Wada

J. Vac. Sci. Technol. A (2001) Vol. 19 ( No. 6 ) 2905-2909 2001.11

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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冷却の必要のない赤外検出器（ボロメータ）のためにLa0.7Ba0.3MnO3-δ （LBMO）薄膜の使用を検討した。基板とLMBO薄膜の格子不整合は薄膜抵抗の温度依存性に影響を与える、LMBO薄膜/STOでは300Kで4％/Kの抵抗温度係数を得た．

The Substrate-Film Lattice Mismatch in La_0.7_Ba_0.3_MnO_3_ Thin Films for Uncooled Infrared Bolometric Applications

K. Hayashi, E. Ohta and H. Wada

Trans. IEE Jpn (2001) Vol. 121-E ( No. 10 ) 542-547 2001.10

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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La0.7Ba0.3MnO3（LMBO）薄膜が冷却不要の赤外検出器（ボロメータ）のために作成された。レーザーアブレーションによるLMBO薄膜がいくつかの基板上に作成された。LMBO/STO薄膜は室温付近で役4％/Kの抵抗温度係数（TCR）を示し、LaAlO3またはMgO基板上のLMBO薄膜は大きな格子不整合を持っているが、室温付近で2％/Kの低いTCRを示した．

Fabrication of Bi-La-Sr-Mn-O Uncooled Microbolometer

K. Hayashi, E. Ohta, H. Wada, H. Higuma and S. Miyashita

Jpn. J. Appl. Phys.(2001) Vol. 40 ( No. 9A ) 5281-5284 2001.09

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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3%/K以上の抵抗温度係数（TCR）を持つペロブスカイト型Mn酸化物Bi-La-Sr-Mn-O（BLSMO）を用いて微小ボロメータ（38×38um2）の単一素子を構成して評価した．検出器の熱伝導率は1.3×10＾-7W/Kであり、4.8×10＾5V/Wの応答特性を得た．

Deep level transient spectroscopy analysis of an anatase epitaxial film grown by metal organic chemical vapor deposition

T.Miyagi, T.Ogawa, M.Kamei, Y.Wada, T.Mitsuhashi, A.Yamazaki, E.Ohta, and T.Sato

Jpn. J. Appl. Phys (2001) Vol.40[PtII] ( No.4B ) L404-L406 2001.04

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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アナターーゼ型TiO2のDLTS測定を初めて行った。伝導性NbドープSrTiO3基板上にアナターゼTiO2が有機金属化学堆積法により形成された。アナターゼ薄膜は伝導帯の下0.96eVに大きなキャリア捕獲断面積（8.3×10＾-13cm2）を有する深い準位の存在を示した．この深い準位の原因は、翁捕獲断面積のために点欠陥ではなく線状欠陥であると推定した．

The Bi-Substitution Effect in La-Sr-Mn-O Thin Films for Bolometric Applications.

K. Hayashi, E. Ohta, and H. Wada

Jpn. J. Appl. Phys (2001) 40   L403-L405 2001.03

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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室温近くで大きな抵抗温度係数（TCR）を持つLa0.7Sr0.3MnO3-δ（LSMO）薄膜がレーザーアブレーション法で400℃で形成された．400℃の低温形成とBi置換はTCRを増加させ、10-150℃で2％/K伊寿を示した。

Possibility of improvement of thermoelectric properties of Pb_1-x_Sn_x_Te by the Functional Graded Materials

S.Yoneda, E.Ohta, H.T.Kaibe, I.J.Ohsugi, Y.Shinohara, and I.A.Nishida

J. Advanced Science (2000) Vol.12 ( No.4 ) 379-384 2001.02

Research paper (scientific journal), Joint Work

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一方向の温度勾配のもとで冷却中にロッキング可能な電気炉を用いる新しい方法により一様なPb1-xSnxTe結晶を成長させた。室温における熱電特性を組成xの関数として調べ、Kaneモデルで解析した．室温における熱伝導率、抵抗および熱電能温度依存性より熱電性能指数Zを推定した。Pb1-xSnxTe結晶のを用いた3段傾斜機能構造の最大変換効率は一様なPb0.5Sn0.5Teより27％超えた．

Grain size effect on thermoelectric properties of PbTe prepared by spark plasma sintering

S.Yoneda, E.Ohta, H.T.Kaibe, I.J.Ohsugi, I.Shiota, and I.A.Nishida

The Japan Institute of Metals, Materials Transactions(2001) 42 ( 2 ) 329-335 2001.02

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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28-309umの平均粒径を持つPbTeがプラズマ焼結法により作製された。焼結PbTeの密度は理論値の99％以上であり、77-350Kの温度で熱電特性を測定した。焼結PbTeの格子熱伝導率は250K以下で粒径の低下とともに減少したが、熱電特性は結晶成長試料と同等であった。

Bismuth-Substituted Lanthanum Manganite for Bolometric Applications.

K. Hayashi, E. Ohta, H. Wada, and H. Higuma

Jpn. J. Appl. Phys. (2000) 39   L1308-L1310 2000.12

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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室温で大きな抵抗温度係数（TCR）を得るためにペロブスカイト型Mn酸化物（(Bi,La)1-xSrxMnO3）バルク試料を作製し、表面形状、結晶性、電気的特性に対するBi置換の効果を調べた。抵抗温度係数は半導体的な熱活性化型であり、室温で3.6％/KのTCRを示した．

Phenomenological Theory of Semiconductor Epitaxial Growth with Misfit-Dislocation

K.Okajima, K.Takeda, N.Oyama, E.Ohta, K,Shiraishi, and T.Ohno

Jpn.J. Appl. Phys. (2000) 39 ( 9 ) L917-L920 2000.09

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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Stranski-Krastanovアイランドの形成とミスフィット転位の効果を含む半導体ヘテロエピタキシャル層の成長様式の現象の理論的研究を行った．この理論で得られるIn/GaAs(110)の臨界膜厚は実験とよく一致している。

半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究

小山紀久　武田京三郎　白石賢二　太田英二？

日本結晶成長学会誌（2000） 27 ( 4 ) 250-256 2000.04

Research paper (scientific journal), Joint Work

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半導体へテロ接合など格子不整合系のエピタキシャル成長の理論を解説した。巨視的な結晶成長パラメータを第一原理計算などの原始的レベルの計算に基づいて決定する手続きを紹介する。

InAs/GaAs(100)ヘテロ界面におけるミスフィット転位と成長モードの関係

OYAMA Norihisa, OKAJIMA Kou, OHTA Eiji, TAKEDA Kyozaburo, SHIRAISHI Kenji, YAMAGUCHI Kouji, ITO Tomonori, OHNO Takao

表面科学  2000

Research paper (scientific journal), Joint Work

放電プラズマ法によるPbTe焼結体の熱電特性と結晶粒径の関係

米田征司, 太田英二, 海部宏昌, 大杉　功, 塩田一路, 西田勲夫:

日本金属学会誌 (1999) Vol. 63 ( No. 11 ) 1461-1467 1999.08

Research paper (scientific journal), Joint Work

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放電プラズマ焼結法によるPbTe焼結体の熱電特性に及ぼす結晶粒径の影響を実験的に調べた。295Kにおける焼結体と成長結晶の熱電能とホール係数を計算し、実験と比較した．有効質量0.2moの非放物線性価電子帯と有効質量1.0mo放物線性価電子帯により計算と実験は翌一致した．

Crystal Growth of PbTe doped with PbI_2_ by the Physical Transport Method

S. Yoneda, E. Ohta, H.T. Kaibe, I.J. Ohsugi, K. Miyamoto and I.A. Nishida:

J. Crystal Growth (1999)  ( 204 ) 229-232 1999.02

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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PbIでヘビードープしたn型PbTe単結晶の成長を物理気相輸送法を用いて行った．室温でホール移動度と格子熱伝導率の測定を行い、それぞれ1.23×10＾-1m2/Vsおよび0.9W/K/mを得た。高品質高キャリア濃度の単結晶を気相輸送法で作製できた。

First-Principles Calculations for Misfit Dislocations in InAs/GaAs(110) Heteroepitaxy.

N. Oyama, E. Ohta, K. Takeda, K. Shiraishi, and H. Yamaguchi

Surface Science 433-435, 900 (1999). 433-435   900 1999

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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In/GaAs(110)ヘテロ構造のミスフィット転位コア構造を第一原理計算により2-4MLのInAs厚さに対して計算した。InAs/GaAs界面には非対称5配位のIn原子が存在し、InAs層厚の増加にも関わらずコア構造は保持される．

First-Principles Calculations on Atomic and Electronic Structure of Misfit Dislocations InAs/GaAs(110) and GaAs/InAs(110) Heteroepitaxies

N. Oyama, E. Ohta, K. Takeda, K. Shiraishi, and H. Yamaguchi

Journal of Crystal Growth (1999) 201-202   256 - 259 1999

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

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InAs/GaAs(110)とGaAs/InAs(110)のヘテロ界面のミスフィットてんいの原子的および電子的構造を第一原理計算とSTMにより研究した。InAs/GaAs(110)の転位線直上の表面は圧縮されること、およびInAs層厚4MLで0.52Åの垂直原子変位が得られ、STM観察結果とよく一致した。またGaAs/InAs(110)ではGaAs層厚により転位コア構造が大きく変化した．

DC and AC magnetization and small-angle neutron scattering studies of strongly interacting particle systems

奥隆之、太田英二、佐藤徹哉、古坂、今井、松下

Journal Magnetism & Magnetic Materials (1998). vol.188   291-300 1998.04

Joint Work

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ポリマー中に分散されたMnZnフェライト微粒子の特性を小角中性子散乱と直流および交流磁化測定から調べた。この系の磁気的特性はスピングラス的であり、磁化率には粒子間相互作用に依存するピークがあらわれた。

Langmuir-Brodgett film formation of succinic acid half-esters containing double long alkoxy chains

小山内州一、樋上、小野、太田英二

J.Mater.Chem. 7[8](1997)    1405-1408 1997.08

Joint Work

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強固なLB膜を形成するために二本鎖を持つ化合物を合成し、そのLB膜累積特性を評価した。二本鎖を持つ化合物は一本鎖脂肪酸LB膜に比較してピンホールの少ない膜を形成することを示した。

Size dependent magnetic properties of zinc ferrite fine particles

横山勝、佐藤徹哉、太田英二、駒場、佐藤寿彦

J.Phys IV France 7[C1] (1997)    521-522 1997.03

Joint Work

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Znフェライト超微粒子を共沈法により形成し、その磁気的特性を調べた。磁気的特性が微粒子サイズに依存することを示した。

Observation of 4d ferromagnetism in free-standing Pd fine particles

谷山友康、佐藤徹哉、太田英二

EuroPhysics Letters 38[3] (1997)    195-200 1997.03

Joint Work

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Pd微粒子の磁気的性質の粒子サイズ依存性を調べた。Pd微粒子の磁化は粒子サイズに依存し、Pdバルクに比較し約20倍の磁化を示した。実験の結果は、Pd微粒子の表面1原子層の相当する部分が磁気的性質をになっていることを示している。

Magnetic Properties of Pd-2.9 at. % Fe fine particles

谷山友康、太田英二、佐藤徹哉

Phys.Rev. B55[2](1997)    977-982 1997.01

Joint Work

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ガス中蒸発法で得たPd/Fe合金微粒子にたいし偏極中性子小角散乱実験と磁気測定を行った。粒子サイズの減少と共に飽和磁化は減少した。実験結果は、微粒子の表面約12Aの層が非磁性で微粒子のコア部分の飽和磁化はバルクより大きい、

X線回折による超微粒子カドミウムフェライトのイオン配置

横山勝、佐藤徹哉、太田英二、佐藤寿彦

粉体および粉末冶金　 (1997) vol.44 ( No.1 ) 111-115 1997.01

Joint Work

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共沈法により作製したCdフェライトおよび焼結Cdフェライトについて、X線回折により構造解析をおこなった。A位置のFeおよびB位置のFeの分布状況および酸素の配置に関する情報をえて、Cdフェライト微粒子の磁性発現機構について議論した

磁気的ターゲティングのための磁性微粒子含有リポソームの作成と特性評価

常盤幸恵、笠毛邦弘、岡浩太郎、太田英二、佐藤徹哉

DDS（Drug Delivery System 学会誌）(1997) vol.12 ( No.1 ) 43-48 1997.01

Research paper (scientific journal), Joint Work

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薬物輸送担体としての特性を検討するために、ダイズレシチンを用いてフェライト微粒子を含むリポソームを形成した。蛍光物質を利用して、薬剤取り込み効率、安定性、磁気力による滞留特性を検討した。

Ferromagnetism of Pd fine particles

谷山友康、太田英二、佐藤徹哉

Physica B (1997)    237-238,286-288 1997

Joint Work

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Pd微粒子の磁化が強磁性的成分と常磁性的成分から構成されていることを示した。これらの成分の温度依存性は、Pd微粒子が強磁性的表面層と非磁性的コアからなることを示している。

Magnetization of cadmium ferrite prepared by coprecipitation

横山勝、佐藤徹哉、太田英二、佐藤寿彦

J.Appl.Phys. (1996) vol.80 ( No.2 ) 1015-1019 1996.07

Joint Work

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共沈法により作製されたCdフェライトの磁気的特性を測定し、その磁性発現機構を議論した。

High temperature spin freezing behavior in Cd_1-x-y_Mn_x_Fe_y_Te

入江雄一郎、奥隆之、山口、佐藤徹哉、太田英二

Cryst.Res.Technol. (1996) vol.31   643-646 1996.07

Joint Work

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CdMnFeTeは磁化率温度依存性にカスプを与える温度より十分高い温度でもスピン凍結特性を示した。この特性を説明するため、束縛磁気ポーラロンを用いて議論した。

Contribution of Pt impurities to spin configurations in the reentrant spin glass NiMn

安藤大観、太田英二、佐藤徹哉

Journal Magnetism & Magnetic Materials (1996) vol.163   277-284 1996.04

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リエントラントスピングラス特性を持つNiMnの線形及び非線形磁化率の温度依存性とPtドープ効果を調べた。得られた非線形磁化率の振る舞いはvortex様のスピン配置の出現に対応したピークを持つことを示した。

四元混晶カルコゲナイド系の電子構造に関する理論研究

小山紀久、今村真美子、太田英二、武田京三郎、坂田亮

J.Advanced Science (1995) vol.7 ( No.3&4 ) 148-152 1996.03

Joint Work

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IV-VI族化合物半導体PbTe／SrTe混晶のバンド構造を経験的LCAO法で簡便に計算する方法を工夫した。混晶組成が変化するとともにバンドギャップが大きく変化することを再現した

Magnetism of AuFe nanoparticles

谷山友康、小川力、佐藤徹哉、太田英二

Mater.Sci.&Eng.(1996) vol.A217/218   319-321 1996

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Au/Feナノ微粒子の時間依存磁化率を磁場中冷却およびゼロ磁場冷却により調べた。磁化は1500秒以内に緩和し、非平衡スピングラス状態は平衡状態に達する。微粒子の表面効果により磁化緩和に関するエネルギーバリアの低下を示した。

Intraparticle structure in ultra-fine ZnFe_2_O_4_ particles

横山勝、奥隆之、谷山友康、佐藤徹哉、太田英二、佐藤寿彦、羽田、伊藤、武田

Physica B 213&214 (1995)    251-253 1995.09

Joint Work

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共沈法で得られたZnフェライト超微粒子の構造を調べるため、中性子回折を行った。磁気的性質をになう内部バルク部分と非磁性と考えられる表面層を考えることにより実験結果を説明できる。

Magnetic properties of ferromagnetic fine particles dispersed in polymer and its thin film

奥隆之、佐藤徹哉、太田英二

J. Magn. Magn. Mater. 148 (1995)    116-117 1995.09

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ポリマー中に分散された強磁性微粒子系のDC磁化率と磁化緩和をしらべた。ポリマー中の微粒子の配置を制御することにより強い粒子間相互作用を生じさせた。10K以下では微粒子内異方性が磁化緩和過程で支配的である。

Intraparticle structure in Pd fine particles

谷山友康、佐藤徹哉、太田英二、武田

Physica B 213&214 (1995)    254-256 1995.09

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Pd超微粒子の偏極中性子小角散乱実験と磁化率測定を行った。Pd超微粒子の磁化率は粒子サイズと共に増大した。中性子散乱実験の結果はPd超微粒子内部に磁気的構造があることを示している。

31P-NMR study of the physiological conditions in intact root cells of mung bean seedlings under low-temperature stress

武田裕一、小川知子、中村善行、笠毛邦弘、坂田亮、太田英二

Plant & Cell Physiol. 36(5) (1995)    865-871 1995.08

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P31NMR法を用いてモヤシ豆幼根分裂成長域の低温処理に対する応答を調べた。低温処理により細胞質および液胞のpH差は減少し、50時間以上低温環境が持続すると細胞質と液胞のpHは回復不可能となることを示した。

Observation of high temperature spin freezing behavior in Cd1-x-yMnxFeyTe

入江雄一郎、佐藤徹哉、太田英二

Phys. Rev. B 51(19) (1995)    13084-13090 1995.05

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CdMnFeTe単結晶の磁化率および磁化曲線の温度依存性をえた。電気抵抗で異常な振る舞いを示すMn（0.37）の試料でweak ferromagnetic behaviorを見い出した。この原因をバンド電子とFeイオンのsーd相互作用として説明した。

Weak ferromagnetic behavior of Cd_1-x-y_Mn_x_Fe_y_Te (y 〜 0.01)

入江雄一郎、佐藤徹哉、太田英二

Journal Magnetism & Magnetic Materials (1995) vol.140-144   2027-2028 1995.03

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CdMnFeTe単結晶の磁化率および磁化曲線の温度依存性をえた。電気抵抗で異常な振る舞いを示すMn（0.37）の試料でweak ferromagnetic behaviorを見い出した。この原因をバンド電子とFeイオンのsーd相互作用として説明した。

Nonlinear susceptibility of reentrant spin glass NiMn

安藤大観、柳原英人、佐藤徹哉、太田英二

Journal Magnetism & Magnetic Materials (1995) vol.140-144   1783-1784 1995.03

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リエントラントスピングラスNiMn合金の線形および非線形磁化率を調べた。非線形磁化率の温度依存性は3つのピークをもち、そのうち低温において見られる2つのピークは磁場に垂直方向のスピン配置に関連づけることができる。

Time dependent effect of magnetic and magneto-optical properties in Cd_1-x_ Mn _x_Te

入江雄一郎，城地和子，佐藤徹哉，太田英二

Japanese Journal of Applied Physics, Suppl. (1994) Vol.33, ( No.323 ) 414-416 1994.03

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ゼロ磁場冷却条件のもとで Cd１―ＸMnＸTe系の磁 化とファラデー回転の時間緩和を調べ，解析した。両者の緩和パラメータは特に高Mn濃度の場合に異なる。これらの挙動をそれぞれの測定法によって観測される空間スケールの差をもとに説明した。

Spin freezing in high Mn concentrated Cd_1-x_ Mn_x_ Te system

入江雄一郎，城地和子，佐藤徹哉，太田英二

Japanese Journal of　 Applied Physics,　, Suppl. (1994) Vol.33 ( No.323 ) 410-411 1994.03

Joint Work

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高いMn濃度を持つCd１―ｘMnｘTe系の非線形磁化率の静的スケーリング解析を行った。Mn濃度の増加とともにスケーリングパラメータは大きくなり，典型的スピングラス物質とは異なった値を持つ。Mn濃度の増加はスピンの凍結機構をスピングラス的なものから不規則な反強磁性的なものへと変化させるとしてこの挙動を説明した。

オクタデカノールＬ膜の緩和挙動

酒井健一，桑原健，今村真美子，太田英二，佐藤徹哉，坂田亮

表面科学 (1993) Vol.14 ( No.5 ) 265-271 1993.07

Joint Work

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水面上のオクタデカノール単分子層の表面圧緩和および面積クリープについて調べた。表面圧が20mN/m以下では緩和とクリープはすぐに完了し，一様な膜を形成する。固体表面上に写し取られた単分子膜のCH２ の非対称伸縮振動による赤外吸収バンドは表面圧とともに低エネルギーにシフトすることから，表面圧緩和および面積クリープ後の単分子膜中の分子はそれぞれゴーシュおよびトランス配位を持ちやすいことを示し，それらの役割を推定した。

Preparation and magnetic properties of cadmium ferrite.

横山勝，佐藤徹哉，太田英二，佐藤寿彦，関正彦

Proceedings of the sixth international conference on ferrite (Tokyo,1922)  1993.03

Research paper (conference, symposium, etc.), Joint Work

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カドミウムフェライトの超微粒子を共沈法により作成し，その形状と磁気的性質を調べた。超微粒子試料は，六角板状のCd (OH)２とスピネル構造を持つファイバー状および無定型物質からなること，超微粒子試料は反強磁性であるバルクのCdフェライトに比較して大きな磁化を持つこと，および仕込量CdO:Fe２O３=1:1 の試料が最大の磁化を持つことを示した。

Changes in the cytoplasmic and vacuolar pH in intact cells of mung　bean root-tips under high-NaCl stress at different external concentration of Ca^2+^ ions.

中村善行，田中かろ，太田英二，坂田亮

Plant and Cell Physiology (1992) Vol.33 ( No.7 ) 849-858 1992.11

Joint Work

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高塩濃度環境による植物根の細胞内pHへの影響を調べるため３１Ｐ―ＮＭＲ法を用いてモヤシマメ幼根根端細胞の細胞質と液胞におけるpHをそれぞれ測定した。液胞pHおよび細胞内Na＋ 濃度は塩ストレスにより上昇し，外液のCa２＋の存在によりそれら上昇は軽減される。また塩ストレスのもとでも細胞膜に存在するＨ＋ 輸送性ATPaseが活性化されることにより細胞質pHは変化しないが，液胞pHはＨ＋ 輸送性PPase の不活性化により敏感にアルカリ化することを実験的に示した。

Interstitial carbon-oxygen complex　in near threshold electron irradiated silicon

篠田和典，太田英二

Applied Physics Letters (1992) Vol.61 ( No.22 ) 2691-2693 1992.11

Joint Work

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200keVのエネルギーを持つ電子で照射されたｎ形SiにおいてＤＬＴＳ法を用いて伝導帯の下0.06eVにある新しい電子トラップを検出した。その欠陥準位のアニール挙動は格子間炭素-格子間酸素複合体であることを示している。この欠陥濃度の電子線照射量依存性を説明しうる簡単な生成モデルを提案した。

Magnetoresistance of spin glass NiMn/Ni thin film

安藤大観，佐藤徹哉，太田英二

J. Magn. Mag. Mater (1992) Vol.113   113-118 1992.08

Joint Work

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Ni１―ｘ MnＸ /SiO２/Niの磁気抵抗をSiO２層厚，磁場および温度の関数として測定した。磁場中冷却とゼロ磁場冷却における磁気抵抗に相違が現れる温度TfはSiO２層厚が薄くなると上昇すること，これがNiMn薄膜単独の場合より高いことを示した。この結果をスピングラス転移温度TgがSiO２層を通した電導電子の交換によりNiMnとNi膜中の磁気モーメントの間に磁気的相互作用が働くとして説明した。

Stimulation of Extrusion of Protons and H^+^ ATPase Activities with　 the Decline in Pyro-phosphatase activity of the tonoplast in intact mung bean roots under high-NaCl Stress and its relation to external levels of Ca^2+^ ions

中村善行，笠毛邦弘，下里規子，坂田亮，太田英二

Plant and Cell Physiology (1992) Vol.33 ( No.2 ) 139-149 1992.03

Joint Work

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高塩環境における高等植物根の膜結合性ATPaseおよびPPase 活性と細胞質からのＨ＋ の排出機能に対するCa２＋の効果を実験的に調べ，植物の耐塩性の機能ついて検討した。100mM までのNaCl溶液にさらされたときＨ＋ の排出は次第に多くなり，外液のCa２＋により抑制される。細胞膜と液胞膜からなる小胞を形成することによりＨ＋ 輸送性ATPaseとPPase の機能を調べた。その結果，細胞内Na＋ はH＋PPase を抑制するが細胞膜H＋ ATPaseを活性化し，細胞質pHの調節に寄与していることを示し

Protective Effect of External Ca２^+^ on Elongation and the Intracellular Concentration of K^+^ in Intact Mung Bean Roots under High NaCl Stress

中村善行，太田英二，坂田亮

Plant and Cell Physio- logy (1990) Vol.31 ( No.6 ) 815-821 1990.09

Joint Work

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植物根に対する塩害の機構を調べるため高濃度NaCl溶液が細胞内Ｋ＋ 濃度と根の伸長に及ぼす効果を調べた。また外液に添加されたCa２＋の効果を論じた。高濃度のNaClを含む外液により根の伸長は阻害され細胞内Ｋ＋ 濃度は減少した。根の伸長速度は外液のCa２＋とNa＋ の濃度比[Ca２＋]/[Na＋]２に依存すること，細胞内Ｋ＋ が10mM以上では伸長を続けることを示し，細胞内Ｋ＋ 濃度を保持することが基本的であり，Ca２＋は細胞内Ｋ＋ の流失を防ぐと結論した。

Effect of double layered SiO_2_- Si_3_ N_4_ films on formation of stacking fault-free region in sillicon

柿下，大谷，太田英二，坂田

Jpn. J. Appl. Phys. (1989) Vol.28 ( No.7 ) 1147-1153 1989.07

Joint Work

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Si表面近傍における積層欠陥のない領域の形成への表面状態の効果を SiO２/Si３ N４２重膜を表面につけることにより調べた。実験結果はSi /SiO２ 界面が自己格子間原子の消滅源となり，裸の表面は空格子点の発生源でもあることを示している。

ｎ型Si表面近傍における電子トラップの発生

太田英二，柿下，季，佐藤，坂田

表面科学 (1989) Vol.10 ( No.5 ) 320 -325 1989.06

Joint Work

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ショットキダイオード作製プロセスで表面近傍に発生する電子トラップを研究した。電子トラップの濃度分布からこれらが拡散すること，エッチングの影響を大きく受けることを示した。電子トラップの成因について論じた。

Introduction of defect levels in　resistive-evaporated n-Si Schottky barrier diodes

太田英二，柿下，季，佐藤，坂田

J. Appl. Phys. (1989) Vol.65 ( No.10 ) 3928 -3932 1989.05

Joint Work

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抵抗加熱蒸着によって形成されたｎ型ショットキバリアダイオード中の欠陥準位をＤＬＴＳ法によって調べた。３種の電子トラップが観測され，その濃度はバルク内部に向かって指数関数的に減少する。欠陥の濃度はエッチングプロセス，とくにエッチング厚さ，エッチング速度に依存することを明らかにした。

Iron-related deep levels in n-type silicon

柿下，川上，鈴木，太田英二，坂田

J. Appl. Phys. (1989) Vol.65 ( No.10 ) 3923 -3927 1989.05

Joint Work

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鉄ドープｎ型Si中の深い準位をＤＬＴＳ方を用いて研究した。３種の深い準位が観測され室温においてさえそれらの濃度は変化した。実験結果からこれらの深い準位の起源を論じた。

Analysis of spin freezing process in cr_0.67_Mn_0.33_Ge based on perpendicular and paralell ac susceptibilities

根本，佐藤，太田英二，坂田

J.Magn. Magn. Mater　 (1989) Vol.78 ( No.1 ) 42-50 1989.02

Joint Work

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弱い直流磁場の下でCr０.６７Mn０.３３Geの交流磁化率を測定した。低温でスピン凍結が観測され，その磁気的異方性は他のスピングラス系より温度とともに大きく変化する。スピンクラスタリングによる異方性がCr０.６７Mn０.３３Geのスピングラス凍結に重要な役割を果たすことを示した。

On the behavior of interaction of　a Pt-related center with radiation-induced defects and the trace platinum detection

翁，太田英二，坂田

J.Appl. Phys. (1989) Vol.65 ( No.2 ) 515 -518 1989.01

Joint Work

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電子照射誘起欠陥と白金の相互作用を調べた。白金の存在は電子照射欠陥を増加させる。白金のつくる欠陥準位の特性を論ずるとともに，電子照射と熱処理を組み合せて微量の白金を電気的に活性にし，検出する方法を提案した。

Electrical resistivity and magnetic susceptibility in the amorphous Cr_x_ Ge_1-x_ alloy system

佐藤，城生，太田英二，坂田

Phys. Rev. B (1988) Vol.38 ( No.16 ) 11741-11750 1988.12

Joint Work

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非晶質Crｘ Ge１―ｘ の電気抵抗と磁化率を非晶質構造と関連させて研究した。Cr原子が非常に小さな局在磁気モーメントをもつことを見出し，これを局所環境効果を考慮した仮想束ばく状態の考え方を用いて論じた。

MnおよびCo添加FeSi_2_ 焼結体の相変態

海部，太田英二，坂田，磯田，西田

材料科学 (1988) Vol.25 ( No.3 ) 149-157 1988.12

Joint Work

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MnおよびCo添加FeSiとFe２ Si５ からなる共晶合金焼結体から半導体相FeSi２ となる反応を電気抵抗，熱電能およびＸ線解析から調べた。ｐ型およびｎ型FeSi２ からＶ字型熱発電素子を構成し，最適熱処理条件を得た。

Application of ３９K NMR spectroscopy to potasium transport in mung bean root tips

矢崎，真木，佐藤，太田英二，坂田

Plant&Cell Physiol (1988) Vol.29 ( No.8 ) 1417-1422 1988.12

Joint Work

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３９Ｋ―ＮＭＲ法を用いてモヤシマメ幼根細胞内Ｋ＋ 濃度とその変化を定量的に研究した。得られたＫ＋ 濃度は，炎光光度法による細胞内Ｋ＋濃度と一致した。細胞内Ｋ＋ 濃度とＫ＋ 輸送を研究するために３９Ｋ-ＮＭＲ法を用いることができることを示した

Estimation of cytoplasmic free　Mg^2+^ levels phosphorylation potentials in mung bean root tips by in　vivo ３１P NMR spectroscopy

矢崎，飛鳥川，石川，太田英二，坂田

Plant&Cell Physiol (1988) Vol.29 ( No.6 ) 919-924 1988.09

Joint Work

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３１P-NMR を用いてモヤシマメ幼根細胞内におけるＡＴＰ結合性Mgと自由なMgイオン濃度をしらべた。細胞内ＡＴＰのうち90％がMg２＋と結合していることがわかった。阻害剤による細胞機能の抑制に対するMg２＋の影響について論じた。

Magnetic phase diagram of amorphous Cr_1-x_ Mn_x_ Ge

佐藤，亀井，根本，太田英二，坂田

J. Phys.:Met. Phys. (1988) Vol.18 ( No.7 ) 1593-1600 1988.07

Joint Work

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非晶質Cr１―ｘ Mnｘ Ge合金系の直流磁化率と交流磁化率を調べた。結晶質のCr１―ｘ Mnｘ Ge系がリエントラントスピングラスであるにもかかわらず，この系が常磁性相からスピングラス相へ一回の相転移を生じる。この系はスピングラス相互作用の起源とスピングラス特性について議論した。

Surface charge density estimation　of vigna mungo protoplasts using a fluorescent dye, 9-amino-acridine

岡，池島，石川，太田英二，坂田

Plant&Cell Physion.(1988) Vol.29 ( No.5 ) 771 -775 1988.07

Joint Work

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モヤシマメ幼根から単離したプロトプラストの表面電荷密度を９― アミノアクリジンを用いる方法で調べた。プロトプラスト表面は負の電荷をもつ。実験結果から負電荷と同程度のアミノ基がプロトプラスト表面に存在すると推定した。

Magnetic phase diagram of Cr_1-x_ Mn_x_ Ge

佐藤，神津，王子田，根本，太田英二，坂田，後藤，榊原

J. Phys. Soc. Jpn.(1988) Vol.57 ( No.2 ) 639-646 1988.02

Joint Work

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Cr１―ｘ Mnｘ Ge系の合金が強磁性相，常磁性相，スピングラス相から成ることを示した。この磁気的性質は変形ＲＫＫＹ相互作用と Mn-Mn相互作用の競合の結果であると結論した。

Interaction between radiation-inducd defects and Pt-related center in silicon

翁，太田英二，坂田

Appl. Phys. Lett.(1987) Vol.51 ( No.12 ) 2206-2207 1987.12

Joint Work

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シリコンにおける電子照射欠陥と白金不純物の相互作用をしらべた。白金の存在は電子照射欠陥の発生を著しく増加させ，またその消滅温度を低下させた。この機構について議論した。

Reentrant spin glass properties of Cr_1-x-y_ Mn_x_ Fe_y_ Ge

佐藤，根元，太田英二，坂田，榊原，後藤

J. Magn, Magn. Materials. (1987) Vol.70   411-421 1987.12

Joint Work

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Cr１―ｘ―ｙ Mnｘ Feｙ Ge系の直流および交流磁気測定からこの系がリエントラントスピングラス相をもつことを示した。FeによるGrの置換が磁気的秩序を破壊することを示している。

Effect of osmotic stress on turgor　 pressure in mung bean root cells

伊藤，中村，河田，山田，太田英二，坂田

Plant and Cell Physiol (1987) Vol.28 ( No.6 ) 987-994 1987.09

Joint Work

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マヤシマメ幼根の伸長域における細胞の膨圧を圧力プローブ法によって直接測定し，生長との関係をしらべた。細胞において膨圧調整が行われていること，浸透圧ストレス後の膨圧回復以前に生長の回復が見られることを示した。

Membrane potential measurement　of　protoplasts isolated from vigna mungo hypocotyl using a fluorescent probe, dis-C３-(5)

岡，内藤，吉田，石川，太田英二，坂田

Plant Cell Physiol (1987) Vol.28 ( No.5 ) 843-849 1987.07

Joint Work

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モヤシマメ胚芽由来のプロトプラストの膜電位を蛍光色素dis-C３-(5)を用いて測定した。プラトプラスト内部は負電位であること，膜電位への呼吸阻害剤およびCa２＋の効果を併せて明らかにした。

Effects of external Ca^2+^ on K^+^ permeability of the elongation region of mung bean roots under high KCl stress

岡，石川，太田英二，坂田

Plant Cell Physiol (1987) Vol.28 ( No.4 ) 581-586 1987.06

Joint Work

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高KCl 濃度下のモヤシマメ幼根において，細胞膜のＫ＋ 透過性に対する外液Ca２＋濃度の効果をしらべた。Ca２＋は皮層細胞から外液へ流出するＫを減少させることを見出した。

Osmotic adjustment and osmotic constituents in roots of mung bean seedlings

伊藤，中原，石川，太田英二，坂田

Plant Cell Physiol (1987) Vol.28 ( No.3 ) 397-403 1987.04

Joint Work

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モヤシマメ幼根における浸透調整の機構を研究した。根内部の主な溶質はＫ＋ とCl― およびアミノ酸と糖でありこれらの寄与は全浸透圧の80％となる。アミノ酸と糖は子葉に由来することを示した。

（Influence of oxidation on growth of bulktype OSF　in Cz silicon)

柿下，藤原，太田英二，坂田

材料科学(1987) Vol.23 ( No.4 ) 205 -212 1987.02

Joint Work

　View Summary

熱処理によってシリコン内部に発生する積層欠陥の成長に及ぼす表面酸化の影響を調べた。バルク型積層欠陥は酸化折出に伴って発生する格子間Siを吸収して成長するが，表面酸化によって発生する過剰格子間シリコンの拡散の影響をうける。

まめ科植物根の重力に対する膜電位応答

石川，田中，太田英二，坂田

表面科学(1987) Vol.8 ( No.1 ) 37-41 1987.01

Joint Work

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ガラス微小電極を用いたマメ科植物根の重力に対する膜電位応答に関する解説。重力に対する膜電位の変化は重力屈性からの推測に比べ非常に速いことを指摘。

Role of K^+^ and Cl^-^ in osmotic adjustment in roots and hypocotyls of intact mung bean seedlings

伊藤，山田，石川，太田英二

Plant Cell Physiol (1986) Vol.27 ( No.8 ) 1445-1450 1986.12

Joint Work

　View Summary

高浸透圧ストレス環境下のモヤシマメ幼根で生じる浸透調整について研究した。根の成熟域における内部浸透圧の1/2 はＫ＋ とCl― の濃度増加によることを見出した。

Nearly ferromagnetic properties of CrGe_1-x_ Si_x_（0≦ｘ≦0.15)

佐藤，太田英二，坂田

J. Magn. and Magn. Mater. (1986) Vol.61   205-211 1986.09

Joint Work

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CrGe１―ｘ Siｘ（０≦ｘ≦0.15) の磁気的特性を帯磁率と電気抵抗率の温度依存性から研究した。その結果この合金が強磁性に近い金属でありSi濃度の増加とともに電子相関が弱くなることを示した。

Longitudinal magneto phonon resonance in n-type InP in Ohmic and hot electron region

滝，王子田，太田英二，坂田，山田，福井，三浦

J. Phys. Soc. Japan (1985) Vol.54 ( No.10 ) 3873-3879 1985.10

Joint Work

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エピタキシャル成長でつくられたn-InP の縦磁気フォノン共鳴が30T までのパルス磁場で測定された。10〜40K の低温では強磁場側にhot electronに関連する新しい共鳴ピークがみられた。

Study of upper critical field in　Pb_x_ La_1-x_ Mo_6_ Se_8_ in high magnetic fields

二木，佐藤，太田英二，坂田，三浦

J. Pyhs.C:Solid State phys (1985) Vol.18 ( No.20 ) L611-L614 1985.09

Joint Work

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シェブレル化合物合金Pbｘ La１―ｘ Mo６ Se８ の超伝導相における上部臨界磁場が35T まで測定された。上部臨界磁場の温度依存性は理論から得られるものとよく一致する。

Hole mobility of GaAs, GaP, and GaAs_1-x_ P_x_ mixed-compound semiconductors

武田，松本，田口，滝，太田英二，坂田

Phys. Rev. B（1985) Vol.32 ( No.2 ) 1101-1111 1985.07

Joint Work

　View Summary

GaAa-GaP合金系における正孔移動度を半経験的に計算した。合金化散乱と価電子帯間相互作用の効果をしらべ，後者はリン含量と温度の上昇に伴って大きな影響を与えることを示した。

３１Ｐ―ＮＭＲを用いた高等植物の細胞内pH測定

鳥光，矢崎，太田英二，坂田

応用物理 (1985) Vol.54 ( No.7 ) 726 -731 1985.07

Joint Work

　View Summary

高等植物の細胞内pHを非破壊で生きたまま測定するために灌流系を用いた３１Ｐ―ＮＭＲで測定した。この方法で細胞質と液胞のpHを同時に測定することが可能であることを示した。

Longitudinal magneto phonon resonance in n-type InP in Ohmic and hot electron region

滝，王子田，太田英二，坂田，山田，福井，三浦

Tech. Rep. ISSP Ser. A (1985)  ( No.1533 ) 1 -25 1985.05

Joint Work

　View Summary

エピタキシャル成長n-InP の縦磁気フォノン共鳴を30T までのパルス磁場で測定した。40K 以下の低温では強磁場領域にhot electronに関連する新しい共鳴ピークを得た。

Effect of K^+^ and H^+^ stress and role of Ca^2+^ in the regulation of　intracellular K^+^ concentration in mung bean roots

鳥光，林，太田英二，坂田

Physiol. Plant (1985) Vol.63 ( No.3 ) 247-252 1985.03

Joint Work

　View Summary

豆幼根を用いて外液中のＫ＋ ，Ｈ＋ ，およびCa２＋濃度が細胞内Ｋ＋ 濃度とＫ＋―ＡＴＰase活性に及ぼす影響をしらべた。高濃度の外液Ｋ＋Ｈ＋ は細胞内Ｋ＋ 濃度を減少させるが，Ca２＋はこの効果を抑制する。これをCa２＋がＫ＋ の細胞内への取込を活性化することと結びつけた。

Effect of external pH on the cytoplasmic and vacuolar pHs in mung　bean root-tip cells:a ３１ P nuclear magnetic resonance study

鳥光，矢崎，長須賀，太田英二，坂田

Plant and Cell Physol (1984) Vol.25 ( No.8 ) 1403-1409 1984.12

Joint Work

　View Summary

モヤシ豆幼根先端細胞内pHの外液pHによる変化３１Ｐ―ＮＭＲを用いてしらべた。細胞質および液胞におけるリン化合物と無機リン酸が検出され，化学シフトから細胞内pHを得た。中性に近い広い範囲の外液pHで，細胞内pHは安定に調整され，これをＨ＋―ATPaseによるＨ＋ の能動輸送のためであるとした。

Photoionization cross sections in vanadium doped silicon

太田英二，國尾，佐藤　坂田

J. Appl. Phys (1984) Vol.56 ( No.10 ) 2890 -2895 1984.11

Joint Work

　View Summary

p-n 接合による光容量法を用いてシリコン中のバナジウム不純物準位の性質をしらべた。当該不純物中心の光イオン化断面積スペクトルを光-熱複合イオン化過程と電子-格子相互作用による格子緩和により説明した。

Magnetophonon resonance in epitaxial n-InP in high pulsed magnetic fields

前田，滝，坂田，太田英二，山田，福井，三浦

J. Phys. Soc. Japa (1984) Vol.53 ( No.10 ) 3553-3559 1984.10

Joint Work

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高純度エピタキシャルｎ型 InPの横磁気フォノン共鳴を 40Tまでのパルス磁場中で測定した。磁気フォノン共鳴に関与するバンドの有効質量とその温度依存性が得られた。

Transverse magneto phonon resonance in p-Te in high pulsed magnetic fields

前田，三浦，坂田，太田英二

J. Phys. Soc. Japan (1984) Vol.53 ( No.9 ) 3120-3125 1984.09

Joint Work

　View Summary

ｐ型Teの横磁気フォノン共鳴を35T までのパルス磁場中で測定した。67K 以上の温度で約22Tに新しい磁気フォノン共鳴を見出した。これはEh光学フォノンモードによるものと同定した。

Electrical resistivity of thin films of amorphous Cr_1-x_ Mn_x_ Ge

佐藤，一方井，太田英二，坂田

J. Phys. F:Met. Phys(1984) Vol.14 ( No.9 ) 2087-2095 1984.09

Joint Work

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非晶質Cr１―ｘ Mnｘ Ge合金の電気抵抗とホール抵抗率を測定し，この系の磁気的性質について議論を行なった。

Effect of K^+^ (86Rb) transport and　the net H＋ efflux on electrical properties along bean (Phaseolus mungo) roots

石川，山村，古越，太田英二，坂田

Plant and Cell Physion. (1984) Vol.25 ( No.9 ) 1045-1051 1984.09

Joint Work

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細胞生長に依存した豆幼根の軸に沿った電位分布を８６ Rb トレーサー実験とpHの影響から得られたＫ＋ およびＨ＋ 輸送と関連づけて論じた。伸長域ではＫ＋ の能動的取込みとＨ＋ の放出が行われている。

Magnetophonon resonance in epitaxial n-InP in high pulsed magnetic field

前田，滝，坂田，太田英二，山田，福井，三浦

Tech. Rep. ISSP. Ser. A (1984)  ( No.1442 ) 1 -22 1984.06

Joint Work

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高純度エピタキシャルｎ型InP の横磁気フォノン共鳴を 40Tまでのパルス磁場中で測定した。磁気フォノン共鳴に関与するバンドの有効質量とその温度依存性が得られた。

Transverse megneto phonon resonance in p-Te in high pulsed magnetic field

前田，三浦，坂田，太田英二

Tech. Rep. ISSP. Ser. A (1984)  ( No.1433 ) 1 -19 1984.05

Joint Work

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ｐ型Teの横磁気フォノン共鳴を35T までのパルス磁場中で測定した。67K 以上の温度では約22T に新しい磁気フォノン共鳴を見出した。これはEh光学フォノンモードによるものと一致する。

非晶質Cr_1-x_ Ge_x_ 合金の構造・電気抵抗および磁化率

佐藤，下野，飯田，城生，太田英二，坂田

日本応用磁気学会誌 (1984) Vol.8 ( No.2 ) 137- 140 1984.05

Research paper (scientific journal), Joint Work

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非晶質Cr１―Ｘ GeＸ 合金の電気抵抗率と磁化率の測定を行い，また構造については干渉関数と原子の分布関数を得た。電気抵抗と構造の関係はザイマン理論を基礎として論じ，磁化率の組成依存性をCr原子の磁気的クラスターを仮定して説明した。

Effect of external KCl on electrical properties and K^+^ (８６Rb) transport in the elongating region of intact Phaseolus mungo roots

石川，松浦，山村，太田英二，坂田

Plant and cell Physiol (1984) Vol.25 ( No.3 ) 359-369 1984.03

Joint Work

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コクズ幼根において，外液KCl 濃度が外部電位とＫ＋ (８６Rb)輸送または外部電位と皮層細胞内電位に与える効果をそれぞれ同時測定した。伸長域へのＫ＋ 輸送は細胞内電位の脱分極と関連しており，高濃度KCl 条件下で阻害された。

Contactless measurement of short carrier lifetime in heat-treated n-type silicon

山崎，荻田，池上，尾中，太田英二，坂田

Japan. J. Appl. Phys (1984) Vol.23 ( No.3 ) 322-325 1984.03

Joint Work

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熱処理したSi中のキャリア寿命と電気的性質を測定した。熱的に導入された深いドナ準位が再結合中心として作用することを明らかにした。また非接触測定により非常に短いキャリア寿命の測定が可能となった。

Magnetic properties of Cr_1-x_ Fe_x_　Ge

佐藤，太田英二，坂田

J. Phys. Soc. Japan(1983) Vol.52 ( No.9 ) 3163 1983.09

Joint Work

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Cr１―ｘ FeＸ Geの磁化率より，その電位相関はFe濃度の増加とともに強まり，その系統的変化がスピンのゆらぎ理論で説明できることを見出した。

Effect of periodic and transient-osmotic stress on electric potentials in bean roots

石川，安保，太田英二，坂田

Plant and Cell physion (1983) Vol.24 ( No.6 ) 1129- 1135 1983.09

Joint Work

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コクズ幼根に周期的および一過的な浸透ストレスを加えたときの細胞内および外部電位を測定した。細胞内電位応答はむだ時間要素と一次遅れ要素をもつモデルを用いて説明できる。

Saturated photocurrent method for measurement of the optical ahsorption coefficient in a semiconductor

清水，武田，柳川，太田英二,坂田

J. Appl. Phys. (1983) Vol.54 ( No.7 ) 4218-4220 1983.07

Joint Work

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ショットキー障壁を用いたＳＰＣ法（定常光電流法）なる新しい方法を考案してキャリアの界面透過係数を実験的に求め表面処理による相異を検討した。

Defect levels in chromium doped silicon

國尾，山崎，太田英二，坂田

Solid-St. Electron (1983) Vol.26 ( No.2 ) 155- 160 1983.02

Joint Work

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Si中のCr不純物準位に容量過度応答法を用い，多数キャリア放出率と捕獲断面積を測定した。クロムの長時間拡散により３つの深い準位の生成を認めた。

Study of energy band parameters in p-type Ge_0.9_ Si_0.1_ alloy

武田，前田，太田英二，坂田，三浦

Phys. Stat. Sol. (b) , (1983) Vol.115   369-379 1983

Joint Work

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Ｐ型Ge０.９ Si０.１ 合金のサイクロトロン共鳴。光吸収スペクトル，ホール効果の測定より正孔の有効質量を得て正孔の輸送現象を論じた

Screening distance and ionized impurity scattering for holes in the warped and non-parabolic band

武田，田口，太田英二，坂田

Keio Sci. Tech. Rep (1982) Vol.35 ( No.10 ) 169- 184 1982

Joint Work

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Dingleの自己無撞着法により，歪んだ価電子帯におけるイオン化不純物ポテンシャルの遮へい長を計算した。得られた遮へい長を用いて，これまでの理論の有効範囲を検討した。

Energy levels and degeneracy ratios for chromium in silicon

國尾，西野，太田英二，坂田

Solid-St. Electron (1981) Vol.24 ( No.12 ) 1087 -1091 1981.12

Joint Work

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シリコン中のクロム不純物に関連する深い不純物準位と縮退比をホール係数の温度依存性をカーブフィッティングして求めた。熱処理によりクロム関連不純物中心が変化する可能性がある。

Effect of boron concentration on　hole capture cross section at vanadium centers in silicon

坂田，國尾，太田英二

Japan. J. Appl. Phys (1980) Vol.19 ( No.12 ) 2525 -2526 1980.12

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Si中のバナジウム不純物中心における正孔放出および捕獲過程の特性をそれらの温度依存性，ボロン濃度依存性より明らかにした。

Thermal emission rates and capture　cross sections of majority carriers at vanadium centers in silicon

坂田，太田英二

Solid-St. Electron (1980) Vol.23 ( No.7 ) 759 - 764 1980.07

Joint Work

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バナジウム（Ⅴ）を含むSi p-n接合を用い，暗容量過渡応答法およびパルスバイアス法により，不純物中心における多数キャリアの熱的放出率と捕獲断面積を求めた。３つの深い準位について測定しその性質について論じた。このうち価電子帯に近いドナー準位への正孔の捕獲面積は温度に大きく依存し，これを非放射多フォノン放出過程として説明した。

Energy levels and degeneracy ratios for magnesium in n-type silicon

坂田，太田英二

Solid-St. Electron (1979) Vol.22 ( No.7 ) 677 - 682 1979.07

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ホール係数測定値に最小二乗法の原理を用いた曲線のあてはめを行いn-Si中のMg不純物準位と縮退比を決定した。MgはSi中で２つの異った格子位置にあることを論じた。

Electrical properties of selenium-diffused silicon

金，坂田，太田英二

Japan. J. Appl. Phys(1979) Vol.18 ( No.5 ) 909 - 915 1979.05

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ホール係数測定値に二重ドナーを含めた曲線をあてはめてSi中のSe不純物準位と縮退比を求めた。Si中のSeドナーの性格を論じた。

Temperature dependence of Hall factor in low-compensated n-type silicon

坂田，太田英二

Japan. J. Appl. Phys (1978) Vol.17 ( No.10 ) 1795 -1804 1978.10

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リンを含むn-Siのホール係数ファクターの温度依存性を得るためにホーム係数と移動度の実験結果を計算と比較した。イオン化不純物散乱を含めたモデルを用いて，ホールファクターの温度依存性，不純物濃度依存性，不純物補償の効果を明らかにした。

Degeneracy ratios and impurity levels of vanadium in n-type silicon by Hall measurement

坂田，太田英二

Japan. J. Appl. Phys, (1977) Vol.16 ( No.1 ) 199 - 200 1977.01

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ｎ型Si中のバナジウム不純物に対し，ホール係数測定値より曲線のあてはめ法を用いて不純物準位と縮退比を求めた。深いドナーとアクセプタ準位のあることを見出した。